第2章 光电检测器件.ppt

* 2.4 光电检测器件的性能比较和应用选择 2.1 光电检测器件的基本特性参数 2.2 真空光电探测器件 2.3 半导体光电检测器件 2.4 各种光电检测器件的性能比较和应用选择 * 一、接收光信号的方式 1、光信号的有无：如光电开关、光电报警等。此时光电器件不考虑线性，但要考虑灵敏度 2、光信号按一定频率交替变化：必须考虑光电器件的响应频段 3、光信号的幅度大小：必须选用线性好、响应快的器件 4、光信号的色度差异：必须选择合适的光谱特性的器件 * 二、各种光电检测器件的性能比较 在动态特性方面，即频率响应与时间响应，以光电倍增管和光电二极管(尤其是PIN管与雪崩管)为最好； 在光电特性方面(即线性)，以光电倍增管、光电二极管、光电池为最好； 在灵敏度方面，以光电倍增管、雪崩光电二极管、光敏电阻和光电三极管为最好； 输出电流大的器件有大面积光电池、光敏电阻、雪崩光电二极管与光电三极管（注：灵敏度高不见得就是输出电流大） * 外加电压最低的是光电二、三极管，光电池不需加电源； 暗电流光电倍增管与光电二极管最小，光电池不加电源时无暗流，加反压后Id也比PMT与光电二极管大； 长期工作的稳定性方面，以光电二极管、光电池为最好，其次是PMT与光电三极管； 在光谱响应方面，以光电倍增管和CdSe（硒化镉）光敏电阻为最宽，但PMT响应偏紫外方面，而光敏电阻响应偏红外方面。 * 三、光电检测器件的应用选择 1、光电检测器件必须和辐射信号源及光学系统在光谱特性上匹配。 如测量波长是紫外波段，则选PMT或专门的紫外光电半导体器件；如果信号是可见光，则可选PMT、光敏电阻与Si的光电器件；如是红外信号，选光敏电阻，近红外选Si的光电器件或PMT。 * 2、光电检测器件的光电转换特性必须和入射辐射能量相匹配。其中首先要注意的是器件的感光面要和照射光匹配好。 太阳能电池具有大的感光面，一般用于杂散光或者没有达到聚焦状态的光束的接收。 光敏电阻是一个可变电阻，有光照的部分电阻就降低，必须设计光线照在两电极中间的全部电阻体上．以便有效地利用全部感光面。 光电二、三极管的感光面只是结附近的一个极小的面积，故一般把透镜作为光的入射窗，要把透镜的焦点与感光的灵敏点对准。 光电池的光电流比其它器件因照射光的晃动要小些。 对微弱的光信号，器件必须有合适的灵敏度，以确保一定的信噪比与输出足够强的电信号。 * 3、光电检测器件必须和光信号的调制形式、信号频率及波形相匹配，以保证得到没有频率失真的输出波形和良好的时间响应。 这种情况主要是选择响应时间短或上限频率高的器件，但在电路上也要注意匹配好动态参数。 4、光电检测器件必须和输入电路在电特性上良好地匹配，以保证有足够大的转换系数、线性范围、信噪比及快速的动态响应等。 * 5、为使器件具有长期工作的可靠性，必须注意选好器件的规格和使用的环境条件。 一般要求在长时间的连续使用中，能保证在低于最大限额状态下正常工作。当工作条件超过最大限额时，器件的特性即急剧劣化，特别是超过电流容限值后，其损坏往往是永久性的。使用的环境温度和电流容限一样，当超过温度的容限值后，一般将引起缓慢的特性劣化。总之，要使器件在额定条件下使用，才能保证稳定可靠地工作。 * 第二章结束 * 实验证明，光敏三极管的截止频率和它的基区厚度成反比关系。如果要求截止频率高，那么基区就要薄；但基区变薄，光电灵敏度将降低，在制造时要适当兼顾两者。 * 硅光电池： 用单晶硅组成，在一块N型硅片上扩散P型杂质(如硼)，形成一个扩散P+N结；或在P型硅片扩散N型杂质(如磷)，形成N+P结，再焊上两个电极。 P端为光电池正极，N端为负极 一般在地面上，用作光电探测器的多为P+N型。 N+P型硅光电池具有较强的抗辐射能力，适合空间应用，作为航天的太阳能电池。 * （二）光电池的特性参数 1、输出特性 图2.3.7 光电池伏安特性曲线 Isc Voc 无光照时，与普通二极管相同；有光照时沿电流轴方向平移。平移幅度与光照度成正比。 * 其中，q为电子电荷；k为波耳兹曼常数；T为绝对温度；V为光电池的输出电压；IL为等效电路中的恒流源，即光电流；Is为等效二极管反向饱和电流；Rd为等效电路中串联电阻，上式右边第二项为普通二极管伏安特性方程 Rd RL 图2.3.8 光电池等效电路 光电池的等效电路如图2.3.8所示。其伏安特性曲线方程为： * 通常， Rd很小，于是有： 又 所以： 其中，S为光电灵敏度(?A/lx或mA/ mW) ；L为入射光强度(lx或mW) * 图2.3.9 Voc、Isc随入射光强变化曲线 图2.3.10 Voc、Isc随受光面积A变化曲线 Voc ISC ISC Voc Voc(mV) ISC(mA) ISC(mA) Voc(mV) * 当