第7章 溅射镀膜20131030.pptVIP

两只靶相对安置，所加磁场和靶表面垂直，且磁场和电场平行。阳极放置在与靶面垂直部位，和磁场一起，起到约束等离子体的作用。 二次电子飞出靶面后，被垂直靶的阴极位降区的电场加速。电子在向阳极运动过程中受磁场作用，作洛伦兹运动。 由于两靶上加有较高的负偏压，部分电子几乎沿直线运动，到对面靶的阴极位降区被减速，然后又被向相反方向加速运动。 加上磁场的作用，电子受磁场作用，作洛伦兹运动。这样由靶产生的二次电子就被有效的封闭在两个靶极之间，形成柱状等离子体。 电子被两个电极来回反射，大大加长了电子运动的路程，增加了和氩气的碰撞电离几率，从而大大提高了两靶间气体的电离化程度，增加了溅射所需氩离子的密度，因而提高了淀积速率。 二次电子除被磁场约束外，还受很强的静电反射作用。把等离子体紧紧地约束在两个靶面之间，避免了高能电子对基板的轰击，使基板温升很小。 对靶可用于溅射磁性靶材，垂直靶面的磁场可以穿过靶材，在两靶间形成柱状的磁封闭。而一般磁控靶的磁场是平行于靶面，易形成磁力线在靶材内短路，失去了“磁控”的作用。 对靶溅射具有速率高、可淀积磁性薄膜等优点。 6. 反应溅射 溅射镀膜时，引入某些活性气体，来改变或控制淀积特性，可获得不同于靶材的新物质薄膜。例如在O2中溅射反应而获得氧化物，在N2和NH3中获得氮化物， 反应物之间产生反应的必要条件是，反应物分子必须有足够高的能量以克服分子间的势垒。 势垒ε与能量之间关系为 式中Ea为反应活化能，NA是阿伏伽德罗常数。根据过渡态模型理论，两种反应物的分子进行反应时，首先经过过渡态—活化络合物，然后再生成反应物，如图3-45所示。 图中 和 分别为正、逆向反应活化能；x为反应物初始态能量；ω为终态能量；T为活化络合物能量； 是反应物与生成物能量之差。由图可见，反应物要进行反应必须要有足够的能量去克服反应活化能。 如前所述，蒸发粒子的平均能量只有0.1~0.2eV，而溅射粒子可达10~20eV，比蒸发高两个数量级左右。蒸发和溅射粒子的能量分布如图3-46所示。其中能量大于反应活化能Ea的粒子数分数可近似地表示为 由于粒子的平均能量， 因此溅射粒子的能量大于Ea的分数 同理，蒸发粒子能量大于Ea的分数 式中， 和 分别为溅射和蒸发粒子的平均动能。由图3-46可看出， 的溅射粒子远多于蒸发粒子，其倍数 （3-35） 假设只有能量大于的粒子才参与反应，则溅射粒子的反应度必然大于蒸发粒子的反应度。 例如，Ti和Zn与O反应，反应方程式为 若两种反应物处于同一能量状态，则Ti和O2、Zn和O2的反应活化能Ea大约分别为0.2eV和0.17eV，但在室温基板表面的氧分子完全处于惰性钝化状态（可能只有百分之几的离子氧），因此膜料粒子最小的反应阈值能至少增加一倍，即Ti、Zn、O2反应至少有0.4eV和0.34eV的能量。 设溅射原子的平均动能为15eV，由式（3-33）和（3-34），则大约有98%的溅射Ti原子和Zn原子能量大于Ea，而蒸发Ti原子和Zn原子分别只有10%和0.5%左右。 参与反应的高能粒子数越多，反应速度越快。 由于 ，故溅射的反应速度要比蒸发快。 ， 如同蒸发一样，反应过程基本上发生在基板表面，气相反应几乎可以忽略。另一方面，溅射时靶面的反应也不可忽视，这是因为受离子轰击的靶面金属原子变得非常活泼，加上靶面升温，将使得靶面的反应速度大大增加。这时，在靶面同时存在着溅射和反应生成化合物两个过程。 如果溅射速率大于化合物的生成速率，则靶就可能处于金属溅射态；反之，反应气体压强增加或金属溅射速率减小，靶就可能发生化合物生成的速率超过溅射除去的速率而停止。这一机理有三种可能： 第一，在靶面生成了溅射速率比金属低得多的化合物； 第二，化合物的二次电子发射要比相应的金属大得多，更多的离子能量用于产生和加速二次电子； 第三，反应气体离子的溅射速率比惰性Ar离子低。为了解决这一问题，常将反应气体和溅射气体分别送到基板和靶附近，以形成压强梯度。 为了保证反应充分，必须控制入射在基板上的金属原子与反应气体分子的速率