第三章,化学气象沉淀.ppt

第3章 薄膜技术 1 外延(epitaxy）** 2 氧化(oxidation)** 3 化学气相淀积*（CVD） 4 物理气相淀积*（PVD） 化学气相淀积系统、用途及特点 常压CVD、低压CVD、等离子体CVD、光CVD 化学气相淀积的模型与原理* 淀积薄膜的特性要求——台阶覆盖* 各种常用CVD薄膜的制备 多晶硅、硅氧化物、硅氮化物、钨及其他薄膜 PECVD系统 第3章 薄膜技术 1 外延(epitaxy）** 2 氧化(oxidation)** 3 化学气相淀积*（CVD） 4 物理气相淀积*（PVD） 真空蒸发 溅射 小结 淀积时可加入气体掺杂剂，得到掺杂的多晶硅。但均匀性比APCVD多晶硅的差。 ① ⑤为物理过程； ② ④为吸附与解吸过程； ③化学反应过程，并与吸附(解吸)交错进行 硅化物：多晶硅/难熔金属的硅化物，形成多层栅极结构(Polycide)，可使互连电阻下降一个数量级；在IC存储器芯片中被大量的用作字线和位线。氮化物：在铝及其合金及金属铜下淀积TiN，形成多层互连的阻挡层或W、Cu的附着层。 DRAM的电容器用的高k介质Ta2O5薄膜(TaCl5 和O2 CVD制备)，电容C一定时，增加k以减小面积A，从而增加DRAM的密度→需要高k介质。Ta2O5 Ta2O5介质常数为20~30 薄膜ULSI要求采用多层互连结构来减小寄生电容C，减小RC延迟→需要低k介质。聚酰亚胺介质常数为2.7~2.9 x2.0表示硅化钨容易碎裂剥离。 多晶硅除了用作MOS栅极之外，还广泛应用于DRAM的深沟槽电容极扳填充,闪存工艺中的位线和字线 臭氧（O3）包含三个氧原子，比氧气有更强的反应活性，因此，这步工艺可以不用等离子体，在低温下（如400℃）进行，因为不需要等离子体，O3就能是TEOS分解，因此反应可以在常压（APCVD,760托）或者亚常压(SACVD，600托)下。 化学气相淀积（CVD）是通过气体混合的化学反应在硅片表面淀积一层固体膜的工艺。硅片表面及其邻近的区域被加热来向反应系统提供附加的能量。包括：1.产生化学变化，可以通过化学反应或热分解；2. 化学气相淀积工艺中的反应物必须以气相形式参加反应。 HDPCVD 工艺的五个步骤： 1.离子诱导淀积：指离子被托出等离子体并淀积形成间隙填充的现象； 2.溅射刻蚀：具有一定能量的Ar和因为硅片偏置被吸引到薄膜的反应离子轰击表面并刻蚀原子； 3.再次淀积：原子从间隙的底部被剥离，通常会再次淀积到侧壁上； 4.热中性 CVD：这对热能驱动的一些淀积反应有很小的贡献； 5.反射：离子反射出侧壁，然后淀积，是另一种贡献。 更低的工艺温度 (250 – 450℃)； 2. 对高的深宽比间隙有好的填充能力 (用高密度等离子体)； 3. 淀积的膜对硅片有优良的黏附能力； 4. 高的淀积速率； 5. 少的针孔和空洞，因为有高的膜密度； 6. 工艺温度低，因而应用范围广。 由于化学气相淀积具有良好的台阶覆盖以及对高深宽比接触通孔无间隙式的填充，在金属淀积方面它的应用正在增加。当器件的特征尺寸减小到0.15μm或更小时，这些因素在硅片制造业中至关重要。在0.15μm的器件设计中，DRAM存储器通孔的深宽比被设计成7:1，逻辑电路设计成2.4:1。 铌是灰白色金属,熔点2468℃,沸点4742℃, collimated beam 准直射束耗 衬底 电极 电极 钛靶 + + RF场 高能氩 离子 钛离子 被溅射的钛原子 e- e- 离子体 DC 电源 RF 发生器 DC 场 DC 偏置 电源 电感线圈 4. 离子化的金属等离子体 PVD（IMP） 溅射膜的特点: 2. 利用化合物作为靶材料，可很好地控制多元化的组分； 1. 由于溅射过程中入射离子与靶材料之间有很大的能量传递，溅射出的原子可获得足够的能量(10~50eV)，提高溅射原子在衬底表面的迁移能力，所以，溅射可以改善台阶覆盖及淀积膜与衬底附着性。 3. 通过使用高纯靶、高纯气体可提高溅射膜的质量。 溅射的应用: 1. 可形成金属膜Al、Cu等， 2. 难熔金属膜W，Mo等； 3. 合金或各种氧化物、碳化物、氮化物、硫化物及各种复合化合物的薄膜。 （与蒸发相比） 2) PECVD 帽 帽 1) HDPCVD 间隙填充 SiO2 铝 3)化学机械平坦化 介质间隙填充的三个过程 1. 高温热流法 2. 高压强迫注入法 中/低温溅射 加热 中低温溅射 Al替代W形成Plug——钨插塞 溅射应用: 一、等离子体氧化方法: 原理：在氧等离子体气氛中，将硅片置于阳极，硅片表面生长一层SiO2薄膜。 应用：适合制备厚氧化膜、需要低温工