超高密度电学信息存储研究进展!.pdf

前沿进展 超高密度电学信息存储研究进展! 4 4 4 4 4 $ 4，5 姜桂元 ! ! 温永强 ! ! 吴惠萌 ! ! 元文芳 ! ! 商艳丽 ! ! 高鸿钧 ! ! 宋延林 （4! 中国科学院化学研究所有机固体重点实验室! 北京! 4%%%6% ） （ $! 中国科学院物理研究所纳米物理与器件实验室! 北京! 4%%%6% ） 摘! 要! ! $4 世纪是经济信息化、信息数字化的高科技时代，信息的爆炸式增长及电子器件持续微型化的要求需要 不断研究和开发更高存储密度、更快响应速度、更长存储寿命及可反复读、写的材料和器件- 在纳米7 分子尺度上实现 存储功能的超高密度信息存储已成为当前信息领域一个倍受关注的研究热点- 本文从存储材料和技术角度介绍了基 于电学双稳态的超高密度信息存储最新研究进展- 关键词! ! 超高密度信息存储，纳米7 分子电子学，扫描探针显微镜 !#$% ’( )*+,-’$- .%(’+/ %*%0+’0,* ’(1#2,+’#( +#,$% 4 4 4 89:; .0=.13 ! ?@; A3B=C013B ! ?D E.0=FG3B 4 4 $ 4，5 ! D:; ?G3=H13B ! IE:; 13=J0 ! :K EA3B=8.3 ! IK; 13=J03 （4! !#$%’ ()*+, -$.)$/)0 ，1%,//2/3 )4 5637,/0 8 53%/3 4 ) 9)*3’2*$ (’3%’3 ，56%3,3 :’$+370 )4 (’3%’3, ，;3 %# 4%%%6% ，56%$ ） （$! =$%),’$*3 60,’, 8 ?3@’3, ，1%,//2/3 )4 60,’, 8 53%/3 4 ) 5)%+3%,3+ 9$//3 60,’, ，56%3,3 :’$+370 )4 (’3%’3, ，;3 %# 4%%%6% ，56%$ ） 34+,0+5 5 L(G $42G3).MN 0O 13 GM1 AH (0B( )G2(3A/ABN ,0)( 03HAMP1)0A3=Q1OGR G2A3APN 13R R0B0)0SGR 03HAMP1= )0A3- L(G GT*/AO0UG 032MG1OG AH 03HAMP1)0A3 13R )(G P0301).M0S1)0A3 AH G/G2)MA302 RGU02GO RGP13R 3G, MG2AMR03B )G2(3A/AB0GO 13R P1)GM01/O )(1) 2APQ03G (0B( RG3O0)N ，H1O) MGO*A3OG ，/A3B MG)G3)0A3 )0PG 13R MG=,M0)03B 21*1Q0/0)N- D/)M1(0B( RG3O0)N R1)1 O)AM1BG 1) )(G 313APG)GM7 PA/G2./1M=O21/G Q1OGR A3 G/G2)M021/ Q0O)1Q0/0)N (1O 1))M12)GR BMG1) 1))G3)0A3 03 MG2G3) NG1MO- L(G /1)GO) *MABMGOO 03 )(0O H0G/R 0O MGU0G,GR HMAP )(G U0G,*A03) AH MG2AMR03B P1)GM01/ 13R )G2(3A/ABN