1989年3月2日在北京举办的半导体扩散技术鉴定会证书.PDF

1989 年3 月2 日在北京举办的半导体扩散技术鉴定会证书 在向上报的鉴定书涂鸦者有两词语：一为第5 页中的 “保母式”的调β方法，因为厂方认为太 自嘲没面子而涂掉；另一为第4 页Young 独有的β分布新组别­­4 个外文字母。此件是一份 未塗改交Young 审议的厂方稿件，因为现在其理论文字现公开存到本方法论网上，请参阅网页 学术论文4. 其他 之编号4.4 。Young 提交的4 篇文章并不附上报上级审议。 1989 年晶管体芯片工业化生产技术 “鉴定证书”内容 • 产品性能和结构 晶体管芯片工业化生产技术包括下列内容: 1. 动态温度拉恒温区工艺，保证恒温区的每个区域的硅片ΣDt 一致，可增大批投量。 2. 推β工艺 (1)发射极预扩散由控制β改为固定温度，控制浓度R□，使控制方便、准确。 (2)发射极再扩散固定温度、固定慢降温程序，仅改变时间t ，以控制β，使推β工艺变得容 易、准确，可以使β控制的数学模型(控制圗)进行可控生产。 3. 采用最严格的慢降温工艺，使硅片表面晶格结构表面复合处于最佳状态。 4. 应用低基区浓度、低发射区浓度，增加基区、发射极结深方法，可使器件的低频频N 、结漏 f 电大大降低，击穿电压BVebo 增加，hfe 高低温性能改善。 • 产品用途和使用效果 该项工艺技术的此应用范围和效果 1. 用于制造NPN、PNP 型双极分立器件半导体芯片，进行工业化生产。 2. 生产批投料量由25 片/批，增加到50-100 片/批(3 英寸)，提高生产效率，降低成本。 3. 使批与批间、片与片间芯片的β均匀性有明显提高，可达到hfe 2:1 大于80% 。 4. 器件低频Nf(1 KHz)4dB，所占比例达98%左右。 5. 器件漏电Iebo 、Icbo 达到pA 级。 6. 器件击穿电压提高，使BVebo 达到9-10V，达到进口芯片水平。 7. 由于采用推β工艺，使得在推β工艺步骤以后各工艺中β变化很小，β性能稳定。 8. 该技术已用于3DG237-239 小功率晶体管生产中，该产品已于88 年底通过天厂级鉴定。芯片 中测成品率达到90% ，质量与进口“西门子”芯片BC237-239 相同，可替代进口，逐步实现芯 片国产化。 • 鉴定结论 香港科导电子有限公司和京港学术交流中心所提供的晶体管芯片生产工艺技术，主要包括: 用 于进行高频中小功率晶体管工业生产的β值控制大范围(60-1,000)可控生产工艺；β值控制的数 学模型；扩散炉温控特性分析与控制；芯片背面减薄蒸金工艺；以及低频噪音系数的控制工艺 技术，经过北京电子管厂硅工艺生产线四个阶段的试验，已经取得成功的结果。连续10 批(每 批50 片)投料制成1,000 万只合格晶体管芯片的生产证明: 该技术具有工业化大生产所要求的生 产重复性好，产品电参数一致性好，成品率高和操作易行等优点。该厂用此技术生产的 3DG237-239 小功率晶体管芯片已达到西德西门子公司BC237-239 的电参数水平，正逐步实现芯 片的国产化。此项技术的推广，对于今后我国用扩散方法制造的硅晶体管工业化大生产，逐步 替代进口，并进而打入国际市场，将产生积极的作用；所采用的动态控制方法，也可供其他半 导体器件和集成电路生产技术借鉴。此项生产技术转移的成功，为内地与香港之间的科技合作 提供了一个成功的范例。 鉴定委员会一致同意该项技术通过鉴定。 一九八九.三.二.