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一种新型低功耗电流模式CMOS带隙基准设计.pdf
第４０卷 第２期 电 子 器 件 Ｖｏｌ４０ Ｎｏ２
２０１７年４ 月 ＣＨＩＮＥＳＥ ＪＯＵＲＮＡＬ ＯＦ ＳＥＮＳＯＲＳ ＡＮＤ ＡＣＴＵＡＴＯＲＳ Ａｐｒ. ２０１７
Ｄｅｓｉｇｎ ｏｆ ａ Ｎｅｗ Ｌｏｗ Ｐｏｗｅｒ Ｃｕｒｒｅｎｔ Ｍｏｄｅ ＣＭＯＳ Ｂａｎｄｇａｐ Ｒｅｆｅｒｅｎｃｅ
１∗ ２
ＸＩＡＯＤａｎ ꎬＷＵ Ｔｉｎｇｘｉ
(１.Ｃｅｎｔｅｒ Ｄｅｐａｒｔｍｅｎｔ ｏｆ ＩｎｆｏｒｍａｔｉｏｎꎬＳｈａｎｇｈａｉ Ｆｉｎａｎｃｅ ＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙꎬＳｈａｎｇｈａｉ２０１２０９ꎬＣｈｉｎａꎻ
２.Ｃｅｎｔｅｒｆｏｒ Ｅｘｐｅｒｉｍｅｎｔａｌ Ｔｅａｃｈｉｎｇ ａｎｄ Ｅｄｕｃａｔｉｏｎ ＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙꎬＳｈａｎｇｈａｉ Ｆｉｎａｎｃｅ ＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙꎬＳｈａｎｇｈａｉ２０１２０９ꎬＣｈｉｎａ)
Ａｂｓｔｒａｃｔ:Ｉｎ ｏｒｄｅｒ ｔｏ ｒｅｄｕｃｅ ｔｈｅ ｐｏｗｅｒ ｃｏｎｓｕｍｐｔｉｏｎ ａｎｄ ａｒｅａ ｏｆ ｔｈｅ ｔｒａｄｉｔｉｏｎａｌ ｂａｎｄｇａｐ ｒｅｆｅｒｅｎｃｅꎬａ ｎｅｗ ｂａｎｄ ｇａｐ
ｒｅｆｅｒｅｎｃｅ ｖｏｌｔａｇｅ ｓｏｕｒｃｅ ｃｉｒｃｕｉｔ ｂａｓｅｄ ｏｎ ｃｕｒｒｅｎｔ ｍｏｄｅ ｈｉｇｈ ｏｒｄｅｒ ｃｕｒｖａｔｕｒｅ ｃｏｒｒｅｃｔｉｏｎ ｉｓ ｐｒｏｐｏｓｅｄ. Ｔｈｒｏｕｇｈ ｔｈｅ
ｉｍｐｒｏｖｅｍｅｎｔ ｏｆ ｃｕｒｒｅｎｔ ｍｏｄｅ ｃｕｒｖａｔｕｒｅ ｃｏｒｒｅｃｔｉｏｎ ｍｅｔｈｏｄ ｈｉｇｈ￣ｏｒｄｅｒ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ｃｏｍｐｅｎｓａｔｉｏｎ ｉｓ ｒｅａｌｉｚｅｄꎬａｎｄ ｔｈｅ
ｃｏｌｌｅｃｔｏｒ ｃｕｒｒｅｎｔ ｄｉｆｆｅｒｅｎｃｅ ｇｅｎｅｒａｔｉｏｎ ａｂｓｏｌｕｔｅ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ｉｓｐｒｏｐｏｒｔｉｏｎａｌ ｔｏ ｔｈｅ ＰＴＡＴ ｃｕｒｒｅｎｔꎬｔｈｅｒｅｆｏｒｅ ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ
ａｎｄ ｂｉｐｏｌａｒ ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ(ＢＪＴ)ｆｅｗｅｒ.Ｔｈｅｉｍｐｌｅｍｅｎｔａｔｉｏｎｏｆｔｈｅｐｒｏｐｏｓｅｄｃｉｒｃｕｉｔｉｓｒｅａｌｉｚｅｄｂｙｕｓｉｎｇｓｔａｎｄａｒｄ０.３５ μｍ
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ＣＭＯＳ ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ. Ｔｈｅ ｍｅａｓｕｒｅｍｅｎｔ ｒｅｓｕｌｔｓ ｓｈｏｗ ｔｈａｔ ｔｈｅ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ ｏｆ ｔｈｅ ｃｉｒｃｕｉｔ ｉｓ ６.８５ １０ / ℃ꎬ
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ａｎｄ ｔｈｅ ｒｅｆｅｒｅｎｃｅ ｖｏｌｔａｇｅ ｉｓ ５０８.５ ｍＶ ｉｎ ４０ ℃~１３０ ℃. Ｃｏｍｐａｒｅｄ ｔｏ ｏｔｈｅｒ ｓｉｍｉｌａｒ ｃｉｒｃｕｉｔｓꎬｗｈｅｎ ｔｈｅ ｐｏｗｅｒ
ｓｕｐｐｌｙ ｉｓ３.３ Ｖꎬｔｈｅ ｏｖｅｒａｌｌ ｓｔａｔｉｃ ｃｕｒｒｅｎｔ ｃｏｎｓｕｍｐｔｉｏｎ ｏｆ ｔｈｅ ｃｉｒｃｕｉｔ ｉｓ ｏｎｌｙ ９.８ μＡꎬｔｈｅ ａｒｅａ ｉｓ ｏｎｌｙ ０.０９ ｍｍ .２
Ｋｅｙ ｗｏｒｄｓ:ｂａｎｄｇａｐ ｒｅｆｅｒｅｎｃｅꎻｃｕｒｒｅｎｔ ｍｏｄｅꎻｃｕｒｖａｔｕｒｅ ｃｏｍｐｅｎｓａｔｉｏｎꎻｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔꎻｌｏｗ ｐｏｗｅ
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