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STM32处理器内部 FLASH操作说明 写FLASH的时候，如果发现写入地址的FLASH没有被擦出，数据将不会写入 一、STM32F1系列处理器 STM32F1系列处理器，FLASH擦除是以页为单位，页地址以下地址无效。换句话说，页大小为2K时，接收的实际有效地址将是ADR~0x7FF。 STM32F1系列有4种Flash module organization，分别是： low-density devices(小容量，32KB，1KB/page)； medium-density devices(中容量，128KB，1KB/page)； high-density devices(大容量，512KB，2KB/page)； connectivity line devices(互联型，256KB，2KB/page)、XL-density(devices(1M，2KB/page)。 //===========闪存模块组织(小容量产品: low-density devices) ============== //页0 0x0800 0000 – 0x0800 03FF 1K //页1 0x0800 0400 – 0x0800 07FF 1K //页2 0x0800 0800 – 0x0800 0BFF 1K //页3 0x0800 0C00 – 0x0800 0FFF 1K //页4 0x0800 1000 – 0x0800 13FF 1K //... ... ... //页31 0x0800 7C00 – 0x0800 7FFF 1K //===========闪存模块组织(中容量产品: medium-density devices) ============== //页0 0x0800 0000 – 0x0800 03FF 1K //页1 0x0800 0400 – 0x0800 07FF 1K //页2 0x0800 0800 – 0x0800 0BFF 1K //页3 0x0800 0C00 – 0x0800 0FFF 1K //页4 0x0800 1000 – 0x0800 13FF 1K // //页127 0x0801 FC00 – 0x0801 FFFF 1K //===========闪存模块组织(大容量产品: high-density devices) ============== //页0 0x0800 0000 – 0x0800 07FF 2K //页1 0x0800 0800 – 0x0800 0FFF 2K //页2 0x0800 1000 – 0x0800 17FF 2K //页3 0x0800 1800 – 0x0800 1FFF 2K // //页255 0x0807 F800 – 0x0807 FFFF 2K //===========闪存模块组织(互联型产品: connectivity line devices)============== //页0 0x0800 0000 – 0x0800 07FF 2K //页1 0x0800 0800 – 0x0800 0FFF 2K //页2 0x0800 1000 – 0x0800 17FF 2K //页3 0x0800 1800 – 0x0800 1FFF 2K // //页127 0x0803 F800 – 0x0803 FFFF 2K //FLASH_ErasePage(addr); //addr为对应页的首地址。 二、STM32F2、F4系列处理器 STM32F2、F4系列处理器，FLASH的擦除操作，只能按Sector进行。不能单独擦除一个地址上的数据。因此在写数据之前需要将地址所在Sector的所有数据擦除。 STM32F407VG的内部FLASH的地址是：0大小是0/* Base address of the Flash sectors */#define ADDR_FLASH_SECTOR_0???? ((uint32_t)0 /* Base @ of Sector 0, 16 Kbytes */#define ADDR_FLASH_SECTOR_1???? ((uint32_t)0 /* Base @ of Sector 1, 16 Kbytes */#define ADDR_FLASH_SECTOR_2???? ((uint32_t)0x0