氮化铟！型掺杂的第一性原理研究！指南.PDFVIP

第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报 %’ ) $) ) ， ， ， IF@ 8%’ 7F 8) LG@V $) （ ） !;($+R$)R%’ ) R*’$;’ :4/: NSTU64: U6764: #$) 4W?3 8 NWVA 8 UFE 8 氮化铟 型掺杂的第一性原理研究! ! ） ） ） ） 丁少锋! 范广涵! # 李述体! 肖 冰$ !）（华南师范大学光电子材料与技术研究所，广州 %!’(!） $ ）（西安交通大学材料学院，西安 )!*+ ） （ 年 月 日收到； 年 月 日收到修改稿） $’ !! , $’ !$ ) 采用基于密度泛函理论（ ）的总体能量平面波超软赝势法，对 ， ， 掺杂 的 原子超原胞体系进 -./ 01 23 45 637 ($ 行了几何结构优化，从理论上给出了掺杂和非掺杂体系的晶体结构参数，其中非掺杂体系的理论值与实验值符合 很好 计算了掺杂 晶体的结合能，总体态密度、集居数，差分电荷密度，并对此做了细致的分析 计算结果表 8 637 8 明，相对于 和 ， 在 中的溶解度会更大，并能提供更多的空穴态，非常有利于 的 型掺杂 23 45 0163 637 637 9 8 关键词：氮化铟， 型掺杂，电子结构，第一性原理 9 ： ， ， ， #$$ ) )!!%: )!$% )!%%. ［］ , LF3HA 等人 利用0M 技术在J7 缓冲层上生长了 引 言 掺杂 薄膜，成功研制了 型 薄膜 然而 !D 01 637 9 637 8 结果并不理想，在 的表面还呈现出很强的 型 637