第五讲电力电子器件（四）电力电子器件驱动电路电力电子器件驱动.DOC

第五讲 电力电子器件（四） 电力电子器件驱动电路 电力电子器件驱动电路概述 驱动电路——主电路与控制电路之间的接口 使电力电子器件工作在较理想的开关状态，缩短开关时间，减小开关损耗，对装置的运行效率、可靠性和安全性都有重要的意义； 对器件或整个装置的一些保护措施也往往设在驱动电路中，或通过驱动电路实现。 驱动电路的基本任务： 将信息电子电路传来的信号按控制目标的要求，转换为加在电力电子器件控制端和公共端之间，可以使其开通或关断的信号； 对半控型器件只需提供开通控制信号； 对全控型器件则既要提供开通控制信号，又要提供关断控制信号。 驱动电路还要提供控制电路与主电路之间的电气隔离环节，一般采用光隔离或磁隔离 光隔离一般采用光耦合器； 磁隔离的元件通常是脉冲变压器。 图1-25光耦合器的类型及接法 a)普通型b)高速型c)高传输比型 电流驱动型和电压驱动型 具体形式可为分立元件的，但目前的趋势是采用专用集成驱动电路： 双列直插式集成电路及将光耦隔离电路也集成在内的混合集成电路； 为达到参数最佳配合，首选所用器件生产厂家专门开发的集成驱动电路。 5.1.2晶闸管的触发电路 作用：产生符合要求的门极触发脉冲，保证晶闸管在需要的时刻由阻断转为导通 广义上讲，还包括对其触发时刻进行控制的相位控制电路 晶闸管触发电路应满足下列要求： 触发脉冲的宽度应保证晶闸管可靠导通（结合擎住电流的概念） 触发脉冲应有足够的幅度 不超过门极电压、电流和功率定额，且在可靠触发区域之内 应有良好的抗干扰性能、温度稳定性及与主电路的电气隔离 图1-26　理想的晶闸管触发脉冲电流波形 t1~t2(脉冲前沿上升时间（1(s）　t1~t3(强脉宽度IM(强脉冲幅值（3IGT~5IGT）t1~t4(脉冲宽度　　I(脉冲平顶幅值（1.5IGT~2IGT） 图1-27常见的晶闸管触发电路 V1、V2构成脉冲放大环节； 脉冲变压器TM和附属电路构成脉冲输出环节； V1、V2导通时，通过脉冲变压器向晶闸管的门极和阴极之间输出触发脉冲； VD1和R3是为了V1、V2由导通变为截止时脉冲变压器TM释放其储存的能量而设。 5.1.3典型全控型器件的驱动电路 1.电流驱动型器件的驱动电路 GTO GTO的开通控制与普通晶闸管相似，但对脉冲前沿的幅值和陡度要求高，且一般需在整个导通期间施加正门极电流 使GTO关断需施加负门极电流，对其幅值和陡度的要求更高，关断后还应在门阴极施加约5V的负偏压以提高抗干扰能力 图1-28　推荐的GTO门极电压电流波形 驱动电路通常包括开通驱动电路、关断驱动电路和门极反偏电路三部分，可分为脉冲变压器耦合式和直接耦合式两种类型。 直接耦合式驱动电路可避免电路内部的相互干扰和寄生振荡，可得到较陡的脉冲前沿，因此目前应用较广，但其功耗大，效率较低。 典型的直接耦合式GTO驱动电路： 二极管VD1和电容C1提供+5V电压 VD2、VD3、C2、C3构成倍压整流电路提供+15V电压 VD4和电容C4提供-15V电压 V1开通时，输出正强脉冲 V2开通时输出正脉冲平顶部分 V2关断而V3开通时输出负脉冲 V3关断后R3和R4提供门极负偏压 图1-29　典型的直接耦合式GTO驱动电路 GTR 开通驱动电流应使GTR处于准饱和导通状态，使之不进入放大区和深饱和区 关断GTR时，施加一定的负基极电流有利于减小关断时间和关断损耗，关断后同样应在基射极之间施加一定幅值（6V左右）的负偏压 图1-30　理想的GTR基极驱动电流波形 GTR的一种驱动电路，包括电气隔离和晶体管放大电路两部分 图1-31　GTR的一种驱动电路 二极管VD2和电位补偿二极管VD3构成贝克箝位电路，也即一种抗饱和电路，负载较轻时，如V5发射极电流全注入V，会使V过饱和。有了贝克箝位电路，当V过饱和使得集电极电位低于基极电位时，VD2会自动导通，使多余的驱动电流流入集电极，维持Ubc≈0。 C2为加速开通过程的电容。开通时，R5被C2短路。可实现驱动电流的过冲，并增加前沿的陡度，加快开通。 2.电压驱动型器件的驱动电路 栅源间、栅射间有数千皮法的电容，为快速建立驱动电压，要求驱动电路输出电阻小。 使MOSFET开通的驱动电压一般10~15V，使IGBT开通的驱动电压一般15~20V。 关断时施加一定幅值的负驱动电压（一般取-5~-15V）有利于减小关断时间和关断损耗。 在栅极串入一只低值电阻（数十欧左右）可以减小寄生振荡，该电阻阻值应随被驱动器件电流额定值的增大而减小。 电力MOSFET的一种驱动电路：电气隔离和晶体管放大电路两部分 无输入信号时高速放大器A输出负电平,V3导通输出负驱动电压； 当有输入信号时A输出正电平，V2导通输出正驱动电压。 图1-32　电力MOSFET的一种驱动电路 专为驱动电力MOS