第十四讲——异质结双极型晶体管 HBT 的高频特性（13 讲的继续） 小.PDF

第十四讲——异质结双极型晶体管 l HBT 的高频特性 （13 讲的继续） 小信号线性等效电路 高频极限——ωT,ωmax，ωV l HBT 的数字应用 基本HBT 逻辑系列 l HBT 的线性电路数字应用 例子：Vitesse VIP- 1 InP HBT HFET伏安特性——HEMT和HIGFET 如以前一样，我们把y 点的漏极电流写作： 我们已经确定了Nch(y) ，可将低到中场区的平均净载流子速度写作： 由上两式得： 将上式对y从0到L积分，或者等效地，对VCS从0到VDS 积分，结果在下一页中给出 HFET伏安特性——HEMT和HIGFET （续） 积分的结果为： 这个表达式在VDS(VGS -VT ) 的情况下成立，当VDS(VGS -VT ) 时，iD饱和，其值为： 这些表达式应该与MOSFET 的相似。它们与通常使用的MOSFET 的表达式完全相同。 最后，饱和时候的小信号跨导gm 为： HFET伏安特性——HEMT和HIGFET （续） 我们最后关心这些器件的高频特性。一个较好的方法是研究ωT，我们将其写作： 我们还没有确定Cgs ，但我们事实上已经对其有了了解，因为这些器件的Cgs与MOSFET 的相同： 由此式得： （无速度饱和） HFET伏安特性——HEMT和HIGFET ，速度饱和 当存在严重的速度饱和时，我们有S(y)=Ssat ，并记作： 现在我们可以计算得到小信号跨导为： （速度饱和） 这些表达式应该与MOSFET 的相似。它们与通常使用的MOSFET 的表达式完全相同。 最后，饱和时候的栅源电容Cgs就是栅极电容WLWBG /tWBG ，所以： （速度饱和） 高频特性度量：ωT,ωmax 我们引入ωT，定义为短路电流增益为整时的频率，表示为： ωT是高速开关特性的一个很好的度量量，但对于微波应用，更好的度量量是ωmax，源 和负载阻抗匹配时的整功率增益。我们发现这个频率可粗略地由下式给出： 后一个度量量显示了在FET微波放大器应用中减小栅极电阻Rg，和栅-漏电容Cgd 的重要 性。 注意：在讨论HBT 时，我们会引入第三个高频特性度量量ωV 线性等效电路（lec ）模型——HBT 除了输入电阻是有限值，和符号不同外，正向工作区偏置BJT 的线性等效电路与FET 的 相同： 用BJT 大信 号模型来求这个模型 中的参量，得到如下表达式: HBT lec模型——高频模型 为了将这个模型推广到高频区，我们引入小信号线性电容来表示存储在栅极的电荷： 我们得到： HBT 本征高频特性度量——ωT 像我们研究FET 是那样，晶体管高频特性的测量是通过计算其短路电流增益βs c(j ω) ， 和确定其大小为1时的频率而得到的。 所以： 高频特性度量：ωT,ωmax，ωV 对一个BJT ，我们有ωT，对其用偏置点来表示，并求IC很大时的极限： 我们对FET得到了一个相似的结果，即ωT近似等于穿过器件工作部分的通过时间的倒 数。在我们关于BJT 的简单模型中，这里出现的通过时间是穿过基极的通过时间，但是事实 上，我们发现它其实是从发射极到集电极的通过时间，包括了穿过发射极-基极和基极-集电 极耗尽区的时间： 高频特性度量：ωT,ωmax，ωV 正如对FET来说，ωT是高速开关特性的一个很好的度量量，但对于微波应用，更好的 度量量是ωmax，即源和负载阻抗匹配时的整功率增益。对于BJT ，我们发现ωmax可粗略地由 下式给出： 这个度量量显示了在HBT 微波放大器应用中减小基极串联电阻Rg，和基极-集电极电