重庆科创职业学院-实验一 SCR、GTO、MOSFET.ppt

实验一 SCR、GTO、MOSFET、GTR、IGBT特性实验 指导教师:黄琴、詹星 直流调速 交流调速 一、 实验目的 (1)晶体闸流管的判别 (2)掌握各种电力电子器件的工作特性。 (3)掌握各器件对触发信号的要求。 二、实验所需挂件及附件 实验注意事项 因为晶闸管的门极与阴极之间是一个PN结,所以Ug只有0.7V,在测量Ug时将门极与给定电源取开。 可控硅的特性测试电路联接图 鉴别可控硅 鉴别可控硅三个极的方法很简单，根据P-N结的原理，只要用万用表测量一下三个极之间的电阻值就可以。 鉴别可控硅 阳极与阴极之间的正向和反向电阻在几百千欧以上，阳极和控制极之间的正向和反向电阻在几百千欧以上（它们之间有两个P-N结，而且方向相反，因此阳极和控制极正反向都不通）。 鉴别可控硅 控制极与阴极之间是一个P-N结，因此它的正向电阻大约在几欧-几百欧的范围，反向电阻比正向电阻要大。可是控制极二极管特性是不太理想的，反向不是完全呈阻断状态的，可以有比较大的电流通过，因此，有时测得控制极反向电阻比较小，并不能说明控制极特性不好。另外，在测量控制极正反向电阻时，万用表应放在R*10或R*1挡，防止电压过高控制极反向击穿。 鉴别可控硅 若测得元件阴阳极正反向已短路，或阳极与控制极短路，或控制极与阴极反向短路，或控制极与阴极断路，说明元件已损坏。 （二）、二极管 用数字万用表判断 依据：二极管具有单向导电性。 方法：将功能开关置“ ”处，红表笔为高电位，黑表笔为低电位，两者压差为2. 8V，2.8V作用于二极管上，正向接法时,即使是发光二极管也足以使其导通，显示的是导通电压值，用mV 表示；反向接法时，显示“１”表示溢出。具体如下： 红表笔插入“Ｖ／Ω”，黑表笔插入“ＣＯＭ” 将待测二极管并于两表笔之间，显示的数据若为550mV左右，则表示此二极管为硅材料二极管，且红表笔接的是哪一端为二极管的正极，黑表笔接的一端为二极管的负极。调换表笔则显示“1”，说明被测二极管是好的，否则为坏。 显示的数据为300mV，则表示被测的二极管为锗材料二极管。 （三）、三极管 2、用数字万用表判断 ① 基极的判别： 判断依据：是二极管具有单向电性。判断方法同二极管的判别。 将功能开关置“ ”处，红表笔插入“Ｖ／Ω”，黑表笔插入“ＣＯＭ”。 NPN：红表笔接假定的“基极”，黑表笔分别假定的“集电极”、“发射极”，两次测量结果都是显示550mV左右；调换表笔，两次测量都显示“1“，则表明红表笔接的是真正的基极，且该管为NPN型硅材料的管子，该管是好的。 PNP：黑表笔接假定的“基极”，红表笔分别接假定的“集电极”、“发射极”，两次测量结果都是显示300mV左右；调换表笔，两次测量都显示“1”，则表明黑表笔接的是真正的基极，且该管为PNP型锗材料的管子，该管是好的。 ② 集电极、发射极的判别 判别依据：三极管具有电流放大作用。 将功能开关置“hFE”处，根据管型将其插入相应的管座，基极（b）插入b座,假定的集电极（“c”）插入c 座，假定的发射极（“e”）插入e 座，若显示的数据为β值，β为几十---几百 ,则表明假定的集电极（“c”）是真正的集电极，假定的发射极（“e”）是真正的发射极e；显示的β值 很小,则表明此种接法不正确。 场效应管的特性测试 门极可判断可控硅特性测试 功率三极管特性测试 绝缘双极晶体管特性测试 四、实验内容 (1)晶闸管（SCR）特性实验。Ω (2)可关断晶闸管（GTO）特性实验。 (3)功率场效应管（MOSFET）特性实验。 (4)大功率晶体管（GTR）特性实验。 (5)绝缘双极性晶体管（IGBT）特性实验。 六、思考题 各种器件对触发脉冲要求的异同点？ 实验结论 晶闸管的门极触发信号只有开通功能，没有关断功能。要关断电路只有关掉电源。所以晶闸管是半可控元件。 4.2 典型全控型器件·引言 门极可关断晶闸管——在晶闸管问世后不久出现。 20世纪80年代以来，电力电子技术进入了一个崭新时代。 典型代表——门极可关断晶闸管、电力晶体管、电力场效应晶体管、绝缘栅双极晶体管。 4.2 典型全控型器件·引言 常用的典型全控型器件 4.2.1 门极可关断晶闸管 晶闸管的一种派生器件。 可以通过在门极施加负的脉冲电流使其关断。 GTO的电压、电流容量较大，与普通晶闸管接近，因而在兆瓦级以上的大功率场合仍有较多的应用。 4.2.1 门极可关断晶闸管 结构： 与普通晶闸管的相同点： PNPN四层半导体结构，外部引出阳极、阴极和门极。 和普通晶闸管的不同点：GTO是一种多元的功率集成器件。 4.2.1 门极可关断晶闸管 工作原理： 与普通晶闸管一样，可以用图4-14所示的双晶体管模型来分析。 4.2.1 门