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金属所解释稀土氧化物影响氧化铝膜热生长的根本原因 链接：/tech/96878.html 来源：金属研究所 金属所解释稀土氧化物影响氧化铝膜热生长的根本原因 高温金属结构材料环境退化的关键因素之一就是氧化，其是否抗氧化在于能否形成致密、热生长速度慢以及热稳定 性高的氧化膜。热生长AlO 是典型的保护性氧化物，人们对AlO 2 3 2 3 生 长型 合金和涂 层的高温氧化行为 进行了大量研究，并且发现加入少量 的稀土元素（RE）或者它们的氧化物（RE O x y ）能进一步降低合金和涂层所形成的AlO 膜的生长速度，产生所谓的活性元素效应（REE）。 2 3 REE的解释模型很多。有关影响氧化动力学的REE，目前有两个较流行的解释模型。一个是由著名金属材料科学家 R.A. Rapp等人提出的“界面毒化模型（PIM）”，即氧化过程中金属基材中的稀土元素（RE）原子向氧化膜/金属基 体界面偏聚，通过钉扎界面失配位错攀移而抑制氧化膜生长。另一个是“晶界偏聚模型”，即RE离子在氧化膜晶界 偏聚，阻止了供膜生长的阳（或阴）离子“短路”扩散。RE晶界偏聚被TEM O 2 3 晶界动态偏聚，它在表面与界面之间 的氧势驱动下向表面迁移。热力学上，RE O 比AlO x y 2 3 更稳定，那么前者氧化时如何产生向界面偏聚的RE离子呢？PIM模型没有专门说明，而PIM模型认为也是因界面与金 属基体内的氧分压差所致。对于这一解释，中国科学院金属研究所彭晓课题组曾提出质疑，认为虽然金属基体内的氧 分压会稍低于界面AlO /Al的平衡氧分压，但这降低值不足以导致REO 分解，提出偏聚于AlO 2 3 x y 2 3 膜晶界的RE离子来自于RE O 在膜中的微量溶解，而RE O 掺进膜中与a-AlO x y x y 2 3 内生长有关，并通过研究CeO弥散的渗铝涂层的氧化加以验证（Corros. Sci., 2 53(2011)1954），但这一解释还缺乏有力的证据。 最近，研究人员进一步用TEM和HREM表征渗铝涂层热生长Al2O3膜的微观结构并从涂层至膜中追踪Ce，分析其分 布情况、存在形式以及CeO 2 形貌与结构的演化，获得以下结果：1）涂层中 无单质Ce存在；2）AlO 2 3 膜由外生长的g相和内生长的a相组成（图1）；3）a-AlO 内生长导致CeO 2 3 2 弥散颗粒进入膜中并微量溶解产 生Ce4+，后者易在晶界偏聚（图2）；4）Ce4+沿a-AlO 2 3 晶界（其过程中吸收电子转化为Ce3+）以及g-AlO 2 3 孪晶界（图1）向外扩散，在表层沿孪晶界析出CeO （图3）。据此，提出了CeO 2 3 2 影响氧化的REE模型（图4），它解释了RE O 产生偏聚于AlO x y 2 3 膜晶界的RE离子的原因。对于单质RE加入合金或涂层的情况，由于RE因固溶度低而会析出富RE颗粒，后者易氧化（ 因RE与O的亲和力大）形成RE O x y doi: 10.1038/srep29593)在线发表。 金属所解释稀土氧化物影响氧化铝膜热生长