纳米粒子的电容.PDFVIP

═══════════════════════════════════════════════════════ 1003 - 7713/ 2000/ 06 - 0689 - 05 纳米粒子的电容 ** 周继承 ， 何红波， 李义兵 （中南大学铁道校区材料研究所，长沙 410075 ） 摘 要：纳米粒子的电容对由纳米点陈列所形成的单电子器件是一个十分重要的参数。基于少体 理论，提出了计算纳米粒子量子点充电电容的理论模型，由此可以预测出室温下出现库仑台阶等单 电子现象的最大纳米粒子粒径。采用简谐势模型计算模拟了 、 半导体纳米粒子的充电电 CdS PbS 容，发现 、 纳米粒子的尺寸上限为 与 。理论计算结果与实验相吻合。 CdS PbS 11 5 nm 关键词： 简谐势模型；少体理论；纳米粒子；电容 中图分类号： 文献标识码： TN304 .2 A 1 引 言 为了使晶体管的尺寸缩小到纳米量级（约 个原子直径），采用常规的场效应晶体管设计 10 及制备技术，会受到原理及设备条件等多方面的限制，研究人员正在研制代替传统高密度晶体 ［，］ 管的器件 1 2 。这些新型的纳米尺度器件工作原理基于各种量子效应，被称为量子器件或单 电子器件。量子器件结构中一般包含一个由半导体或金属纳米粒子组成、被称为量子点的“小 ［，］ 3 4 岛” 。 单电子器件的工作基础是库仑阻塞和库仑台阶效应。为了充分利用这种效应，需要量子 点的充电能比粒子热运动能大，这样库仑阻塞和库仑台阶才不致于被热运动动能所淹灭。因 此在器件的实现上，必须降低量子点的电容，这就迫使人们寻求不同的材料及组装技术制备出 稳定的纳米粒子。对不同材料，不同粒径的纳米粒子而言，其电容的大小是十分不同的。 2 模 型 实验和理论分析表明，当电子数目很少时，用简谐势来描述量子点中电子所受的约束是一 个很准确的近似。本文采用三维简谐势来描述约束于三维量子点中的 个电子，则系统的哈 N 密顿量为： 2 N 1 e （） （） ! = + ! i 1 Σ Σ 0 2 4## r - r i j 0 i j i = 0 其中， 为真空介电常数； 为量子点的相对介电常数。（）式中第一项为电子之间的库仑排 # # 1 0 斥能；第二项为单粒子哈密顿量： （） 1 ˆ 2 1 * 2 2 （） ! i = P + m $ r 2 0 2 m * 2 0 i 国家自然科学基金