keV低能束作用下固体BSEs角分布.pdfVIP

2000 年　2 月 山　东　工　业　大　学　学　报 . 30　 . 1 V o l N o 第 30 卷 第 1 期 JO URNAL O F SHANDONG UN IVERSITY O F TECHNOLO GY 　F eb. 2000 k eV 低能束作用下固体B SE s 角分布 谭震宇　 何延才① ( 山东工业大学电力工程学院　济南　25006 1) 摘　要　应用蒙特卡罗方法, 对不同能量低能电子作用下元素固体 , , , 的 A l Cu A g A u 背散射电子角分布及其与其他分布的关系作了模拟. 计算分析了背散射电子角分布随能量 及原子序数的变化, 不同出射角区背散射电子在固体中发射深度分布, 能谱及表面空间分 布. 结果表明背散射电子角分布随能量降低偏离余弦分布时发射规律的变化, 小出射角区 背散射电子强度增大主要来自样品浅表层大角度背散射产生的低能损背散射电子增加, 且 具有较好表面空间分辨率. 关键词　蒙特卡罗法; 电子束; 空间分布; 角分布 中图分类号　 562. 5 O 0　引言 电子与固体相互作用过程中, 背散射电子( , 简记为 ) 的 B ack scat tered E lect ron s B SE s 发射及其在固体表面空间分布是电子显微学以及电子束曝光中十分关心的课题. 作者曾对 [ 1 ] 低能束作用下低能损背散射电子固体表面空间分布作了计算 , 得到一些分布规律. 入射电 子能量 E 0 为几十个 k eV 数量级时, B SE s 空间角分布服从余弦分布律, 这 已为M on te ¨ [2, 3 ] ( ) Car lo 模拟及实验所证实 . 然而, 低能情况 E 0 为几个 k eV 或更低 下, R. Bo n geler 等 [4 ] 基于 . 模型的 方法 , 对 角分布所作的计算表明, 对于重 M o t t R S W M on te Car lo B SE s 元素能量较低时B SE s 角分布不服从余弦分布律. 但未对产生这一结果的原因以及低能情 况下B SE s 的发射规律作进一步计算分析. 为此, 本文应用M on te Car lo 方法, 电子在固体 中的弹性和非弹性散射分别用M o t t 截面和Joy 方法修正的B eth e 连续能量损失方程描述 和计算,