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电子产品的静电放电危害及其测试 Harm andTestofElectrostaticDischargeofElectronicProducts 潘长清 于志鹏 (机械工业仪器仪表综合技术经济研究所，北京市 100055) PanChangqing YuZhipeng (InstrumentationTechnologyEconomyInstitute，Beijing100055) 摘【 要】 随着电子技术的发展和产品复杂程度的提高，静电放电的潜在威胁已经越来越突出。本文就静电 产生的机理，对电子产品的危害及静电敏感度测试做了探讨， 电路设计提出了一些对策。 关【键词】 电子产品 静电放电 测试方法 Abstract：Alongwiththedevelopmentofelectronictechniqueandtheimprovementofthecomplexityofproduct，the hiddenharm oftheelectrostaticdischargebecomemoreandmoreevident．Thepaperdiscussedtheprincipleofgeneration ofelectrostatic，itsharmtoelectronicproducts，thetestofelectrostaticsensitiviyt，andputforwardsomesolutions． Keywords：ElectronicProducts ElectrostaticDischarge TestMethod 静电是我们不能用 肉眼看见又不能用手摸到的， 跃的静电源，当人体穿着绝缘材料的织物，并且其鞋 静电在我们的身边不断产生和消失。静电技术El前已 也是对地绝缘的时候 ，人在地面上运动时，就可能积 广泛应用于工业、农业和环境保护等领域，如静电喷 累一定数量的电荷 ，当人体接触与地相连的元件、装 涂、静电植绒，以及静电除尘土等。然而 ，静电放电 置的时候就会产生静电放电。 (ESD)却又成为电子产品和设备的一种危害，造成电 当人们穿着化纤织物时，人体运动的充电电流约 子产品和设备的功能紊乱甚至部件损坏。现代半导体 l0 ～10A，总的充电电荷约 (0．1～5)×10 库仑， 器件的规模越来越大，工作电压越来越低 ，导致了半 人体对地的电容约150～250pF，若以电荷3×10 库 导体器件对外界电磁骚扰敏感程度也大大提高。ESD 仑计算，则充电电压可达5～25kV。 对于电路引起的干扰、对元器件、CMOS电路及接1：3 人体的静电放电模型可用电阻和电容的串联来模 电路造成的破坏等问题越来越引起人们的重视。电子 拟 ，设人体电阻R=500Q，人体电容C=300pF，人体 设备的ESD已经作为电磁兼容性测试的一项重要内容 带静电电压U=lOkV，则静电所含能量为 ：W=1／2 写入国家标准和国际标准。 (CU2)= 15(mJ) 1 静电放电 (ESD)的机理 尽管静电电压高达 lOkV，能量仅 15mJ，对人体 静电是两种物质相互摩擦时，由于电子与离子的 没伤害，但当人手去触摸设备的金属部分时会产生火 亲和性不同，会在两物体间引起电子与离子的移动， 花放电，瞬间的脉冲峰值很高，很可能对电子电路产 形成一方带正电荷 ，另一方带负电荷。当两物体离开 生干扰或破坏。本例中放电电流的峰值为：IP U ／ 后，在各物体上产生额外的电荷，当积累的电荷达到 R=20 (A)；放电时间很短 ，可近似为：Td RC= 一 定量后，电荷会向相反极性的一方迁移，这时就发 150(FIS)，