护环对硅片抛光表面压强分布和轮廓的影响.pdfVIP

维普资讯 第 16卷 第 4期 光学 精密工程 Vo1．16 NO．4 2008年 4月 OpticsandPrecisionEngineering Apr．2008 文章编号 1004—924X(2008)04—0689—07 护环对硅片抛光表面压强分布和轮廓的影响 吕玉山，王 军，张辽远，冯连东 (沈阳理工大学机械工程学院，辽宁沈阳110168) 摘要 ：为 了获得单 晶硅片化学机械抛光过程中护环对接触压强分布的影响规律 ，从有护环化学机械抛光实际出发，建立 了抛光过程的接触力学模型和边界条件，利用有限元法对有护环抛光接触状态时的接触压强分布进行了计算和分析，并 利用抛光实验对计算获得结果进行了验证 。获得 了硅片与抛光垫问的接触表面压强分布形态 ，以及护环几何参数对压 强分布的影响规律。确定了护环抛光接触压强的分布也存在不均匀性，而且在硅片外径邻域 内接触压强最大，并导致被 加工硅片产生平面度误差和塌边 。结果表明，当选择护环与硅片的间隙为 0，负载比为 2．5～3．5，以及适当的护环宽度 时，可 以改善接触压强分布 的均匀性 。 关 键 词 ：化学机械抛光 ；单晶硅片；接触压强分布 ；平面度误差 中图分类号 ：TN305．1：TH161 文献标识码 ：A Effectofretainingringon pressuredistribution andprofileofpolishingwafersurface LU Yu-shan，WANGJun。ZHANGLiao—yuan，FENGLian-dong (SchoolofMechanicalEngineering，ShenyangLigongUniversity，Shenyang110168，China) Abstract：Inordertostudytheeffectofaretainingringonthepressuredistributionofsilicon’wafter surfaceduring theprocessesofChemicalM echanicalPolishing(CMP)，themechanism modeland boundaryconditionsofCMP processesweresetup basedon thepracticesofCMP witharetaining ring．Then，thecontactpressuredistributionwascalculatedandanalyzedinpolishingexperimentsU— singANSYS．Thecontactpressuredistributionbetweensiliconwaferandpolishingpadandtheeffect oftheretainingringonitwereobtained．Analyticalresultsindicatethatthecontactpressuredistribu— tionisnonuniform anditismaximalon theborderlineofsiliconwafer，which generatestheflatness errorsandthesubsiding oftheoutsideedgeofwafer．Experimentalresultssuggestthatthecontact pressuredistributionuniformitycanbeimprovedwhentheclearancebetweentheringandwaferis0， theloadratiosoftheringtowaferare2．5～3．5andtheringwidthsarechosenproperly． Keywords：ChemicalM echanicalPolishing(CMP)；siliconwafer；contactpressuredistribution；flat— n eSR Prrn r 收稿 日期 ：2007—10—29：修订