《国际半导体技术蓝图》(2005版)光刻部分解析.pdfVIP

维普资讯 《国际半导体技 蓝 图 【2005版 】 光 部分解析 卞志昕 (上海图书馆上海科学技术情报研究所，上海 200031) 摘 要：对2005年公布的 国际半导体就十时微蓝图》中光刻部分进行了介绍与分析，并与之前 的版本进行比较，列出了光刻技术面II盘的挑战和潜在技术方案。最后指出，浸入式光刻、纳米压 印、极紫外光刻和ML2将是未来几年重点研究对象。 关键词：国际半导体技术蓝图；光刻；挑战；ITRS 中图分类号：TN305．7 文献标识码：A 文章编号：1004．4507(2006)06．0003．04 AnalyzingtheLihtographyPartofhteInternationalTechnology RoadmapforSemiconductors(2005Edition) BL ZIli．xin (ShanghaiLibraryInstituteofScientificandtechnicalInformationofShnaghai，Shnaghai200031，China) Abstract：ThispaperintroducesandanalyzesthelithographypartoftheInternationalTechnology RoadmapforSemiconductorspublishedin2005，compareswitlltherelatedpartofpreviousedition，lists thechallengesandpotentialtechnologyschemes．Finally，theprimaryresearchobjectsoflihtographyin thefutureraealsogiven． Keywords：InternationalTechnologyRoadmapforSemiconductors；Lihtography；Challenge；ITRS 1 引言 速的发展，到现在仍遵循着 “摩尔定律 ”保持强 劲的发展态势。为了赶上迅速发展的半导体技术， 自20世纪6O年代以来，半导体技术取得了飞 欧洲、日本、韩国、中国台湾地区与美国半导体 收稿 日期：200605—09 作者简介：卞志听(1977一)，男，工程师，上海交通大学化学化工学院本科毕业，研究方向：情报分析，专利检索， 现于上海情报服务平台。 固囝衄 (总第137期)③ 维普资讯 趋势与展望 · 电 子 工 业 毫 用 设 置 ■ · 产业协会合作制订 了 《国际半导体技术蓝图》 影式光刻和近接式x射线光刻。 (ITRS)，自2001年起，每隔 1年就会有新版出 2004年的修订版进一步发展了这个趋势，解决 现 ，而在双年时，则会对蓝图进行修订 。 方案有了更显著的变化。一部分变化是由于光刻技 《国际半导体技术蓝图》主要是由欧洲电子器 术工作组为评价近期的可能解决方案定义了新标 件制造协会 (EuropeanElectronicComponentMnau— 准。也就是 “当前和今后两个节点的解决方案必 facturersAssociation(EECA))、欧洲半导体工业 须能够至少满足两个地区的领先要求，所有的基础 协会 (EuropenaSemiconductorIndustryAssoci