低损耗硅基SiO2平面光波导的PECVD制备和膜层特性研究pdf.pdfVIP

低损耗硅基 SiO2 平面光波导的 PECVD 制备和膜层特性研究 1 1 1 2 陈思乡 ，江征风 ，胡业发 ，刘文 (1 ．武汉理工大学机电工程学院，湖北 武汉 430070 2 ．武汉邮电科学研究院，湖北 武汉 430074) 摘要：研究了PECVD 沉积的光波导膜层的光学特性，论述了沉积工艺参量和退火处理对膜 层性能的影响，优化工艺获得了高质量的波导膜层，成功设计制作了在 1550nm 中心波长损 耗低于 0.1dB/cm 的平面光波导和AWG 器件。 关键词：平面光波导，SiO2 波导，PECVD PECVD deposition of low-loss SiO2-based plane Waveguides and the film properties Chen Sixiang1 1 1 2 , Jiang Zhengfeng , Hu Yefa , Liu Wen (1. School of Electromechanics Engineering, Wuhan University of Technology, Wuhan 430070, China 2. Wuhan Research Institute of Posts and Telecommunications, Wuhan 430074, China) Abstract: Good optical-quality Ge-doped SiO2 layers have been obtained by using plasma-enhanced chemical vapor deposition from SiH4, GeH4 and N2O gases. Various factor affecting refractive index and deposition rate of films, such as gas flow, platen temperature, RF power are investigated. Low-loss silica optical waveguides with propagation losses less than 0.1dB/cm at 1550nm center wavelength are presented. Keyword: plane lightwave circuit, Silica waveguides, PECVD 1、 引言 光纤通信技术近几年来得到了迅猛发展，光纤已经成为固定通信网中最主要的传输介 质，是高速通信特别是吉比特和太比特通信的最佳媒质选择。平面光波导是光集成的核心， 是为光波的传播所规定的通道。大多数的光波导以单模光波导为基础，以实现对单一模式的 光的各种参量的精确控制。平面光波导技术为光纤通信的容量瓶颈提供了较好的解决方法。 硅基SiO2 波导由于和石英光纤组分相近，折射率匹配较好可以达到很小的耦合损耗， 而且由于其制作工艺采用成熟的半导体微细加工技术，工艺简单、重复性好、制作成本低等 特点受到了愈来愈多的重视，成为了人们关注的焦点，已经成为了当前光器件和平面光波回 [1,2,3,4] 路（PLC ）的基础 。 对于平面光波导器件的开发，如何制作高品质的光波导是最关键的要素。SiO2 光波导 的制作主要有两种：一为与光纤制作技术相类似的火焰水解沉积法（FHD ），即以 SiCl4、 SiCl4-GeCl4 或 SiCl4-TiCl 为原料在氢氧焰中生长 SiO2 于包层和芯层；二为半导体工艺中的 等离子体化学气相沉积（PECVD ）方法，即光波导的各层特别是芯层由 PECVD 来完成。 由于 FHD 设备和技术本身的复杂性以及 PECVD 工艺的成熟性，我们采用专用 PECVD 设 备制作波导层。该技术膜层控制灵活，膜层均匀、致密、光滑，透明性好。