硒化铅量子点石墨烯可见光敏晶体管的研究.PDFVIP

第３９卷第４期 湖北大学学报（自然科学版） Ｖｏｌ．３９　 Ｎｏ．４　 ２０１７年７月 Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｈｕｂｅｉ Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ（Ｎａｔｕｒａｌ Ｓｃｉｅｎｃｅ） Ｊｕｌｙ，２０１７　 文章编号：１０００ ２３７５（２０１７）０４ ０３３８ ０５ 硒化铅量子点／ 石墨烯可见光敏晶体管的研究 王圣，李金华 （湖北大学材料科学与工程学院，湖北 武汉４３００６２） 摘要：石墨烯晶体管以其高载流子迁移率和宽波长范围光吸收在光探测方面得到了广泛研究．然而石墨烯极低的光 吸收率限制了其响应灵敏度．以溶液法用氧化铅、硒粉、ＴＯＰ为反应物一步合成硒化铅量子点，与湿法转移的单层铜基底 石墨烯复合，制备硒化铅量子点／ 石墨烯光敏晶体管，利用石墨烯的高迁移率和量子点对光的高吸收效率提高晶体管的 ２ 光响应，测试表明晶体管对波长３７０ ８９５ ｎｍ范围内的光均有良好响应，在波长５４０ ｎｍ光强０．５２８ μＷ／ ｃｍ 下的响应 ６ 率达到了１０ Ａ／ Ｗ． 关键词：硒化铅；量子点；石墨烯；光电探测器 中图分类号：ＴＢ３２４．１　 　 文献标志码：Ａ　 　 ＤＯＩ：１０．３９６９／ ｊ．ｉｓｓｎ．１０００⁃２３７５．２０１７．０４．００２ Ｔｈｅ ＰｂＳｅ ＱＤｓ／ ｇｒａｐｈｅｎｅ ｈｙｂｒｉｄ ｐｈｏｔｏｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ ＷＡＮＧ Ｓｈｅｎｇ，ＬＩ Ｊｉｎｈｕａ （Ｆａｃｕｌｔｙ ｏｆ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ Ｓｃｉｅｎｃｅ ａｎｄ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ，Ｈｕｂｅｉ Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，Ｗｕｈａｎ４３００６２，Ｃｈｉｎａ） Ａｂｓｔｒａｃｔ：Ｇｒａｐｈｅｎｅ ｐｈｏｔｏｔｒａｎｓｉｓｔｏｒｈａｖｅｇａｉｎｅｄｃｏｎｓｉｄｅｒａｂｌｅａｔｔｅｎｔｉｏｎｉｎｔｈｅｌａｓｔ ｄｅｃａｄｅｄｕｅｔｏｔｈｅｉｒｈｉｇｈ ｃａｒｒｉｅｒ ｍｏｂｉｌｉｔｙ ａｎｄ ｔｈｅｉｒ ｌｉｇｈｔ ａｂｓｏｒｐｔｉｏｎ ｉｎ ａ ｂｒｏａｄ ｗａｖｅｌｅｎｇｔｈ ｒａｎｇｅ， ｈｏｗｅｖｅｒ， ｔｈｅ ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ ｏｆ ｔｈｅ ｐｈｏｔｏｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ ｉｓ ｖｅｒｙ ｌｏｗ ｂｅｃａｕｓｅｏｆ ｔｈｅｌｏｗ ｌｉｇｈｔ ａｂｓｏｒｂａｎｃｅｏｆ ｇｒａｐｈｅｎｅ． Ｉｎｔｈｉｓｓｔｕｄｙ，ｗｅ ｓｙｎｔｈｅｔｉｚｅｄＰｂＳｅ ｃｏｌｌｏｉｄａｌ ＱＤｓ ｂｙ ｓｏｌｕｔｉｏｎ ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ ａｎｄ ｏｂｔａｉｎｅｄ ｔｈｅ ｅｎｈａｎｃｅｄ ｓｔａｂｉｌｉｔｙ ｏｆ ＰｂＳｅ ｃｏｌｌｏｉｄａｌ ＱＤｓ ｖｉａ ａ ｐｏｓｔ⁃ ｓｙｎｔｈｅｔｉｃ ａｍｍｏｎｉｕｍ ｃｈｌｏｒｉｄｅ ｔｒｅａｔｍｅｎｔ． ＰｂＳｅ／ ｇｒａｐｈｅｎｅ ｈｙｂｒｉｄ ｐｈｏｔｏｔｒａｎｓｉｓｔｏｒｓ ｗｅｒｅ ｆａｂｒｉｃａｔｅｄ ａｎｄ ｑｕａｎｔｕｍ ｄｏｔｓ（ＱＤｓ）ｃｏｕｌｄｓｅｒｖｉｃｅａｓａｂｓｏｒｂｌｉｇｈｔｅｆｆｉｃｉｅｎｔｌｙ． Ａｐｈｏｔｏｔｒａｎｓｉｓｔｏｒｓｓｈｏｗｅｄｔｈｅｇｏｏｄｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅｓｕｎｄｅｒｔｈｅ ｉｌｌｕｍｉｎａｔｉｏｎ ｗｉｔｈ ３７０—８９５ ｎｍ ｗａｖｅｌｅｎｇｔｈ． Ｅｓｐｅｃｉａｌｌｙ ａ ｈｉｇｈ ｒｅｓｐｏｎｓｉｖｉｔｙ ｏｆ ｐｈｏｔｏｔｒａｎｓｉｓｔｏｒｓ ｃｏｕｌｄ ｒｅａｃｈ １０６ －１ ＡＷ ｕｎｄｅｒ ｔｈｅ ｉｌｌｕｍｉｎａｔｉｏｎｓ ｏｆ５４０ ｎｍ ｌｉｇｈｔ． Ｋｅｙ ｗｏｒｄｓ：Ｌｅａｄ Ｓｅｌｅｎｉｄｅ；ｑｕａｎｔｕｍ ｄｏｔｓ；ｇｒａｐｈｅｎｅ；ｐｈｏｔｏｄｅｔｅｃｔｏｒ ０　 引言 光探测器由于其在通信、热成像、生物成像和传感等方面的应用得到了广泛研究，特别是基于量子