- 1、本文档共16页,可阅读全部内容。
- 2、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。
- 3、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载。
- 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
查看更多
2G]éFI-archive.eet
微波器件的发展趋势
Microwaves China 2015年12月
Digi-Key Electronics
Digi-Key公司总部设在美国明尼苏达州锡夫里弗福尔斯市,是一个同时提供
Microwaves China • 2015年12月
针对原型开发/设计的小批量和针对生产的大批量的全球电子元件综合服务
提供商,经销着650多家优质品牌制造商、三百多万种产品。Digi-Key拥有
微波器件
1,000,000多种库存现货产品和庞大的在线资源选择,致力于为客户现货供
应最广泛的电子元件产品,提供最佳的客户服务。如需其它信息或查询Digi-
Key广泛的产品库,请访问。
材料与工艺
访问公司网站 推荐给朋友
高频设计
发送 E-mail
宽带GaN放大器
新品速递
Microwaves China • 2015年12月 高频、高功率射频
微波器件 器件的市场发展趋势
材料与工艺 氮化镓的市场潜力是非常巨大的,这种工艺技术最终有望主导高性能的
射频与微波市场。
作者: Jean-Pierre Joosting
氮化镓(GaN)技术已经在影响高性能的射频市场,但MACOM公司认为这只是开始。该公司所
高频设计 处地位独特,致力于向用户提供采用包括GaAs、InP、SiGe、SiPh、GaN和CMOS在内的大多数工
艺技术制造的产品。氮化镓本身有两种主要类型,一种是作为很高功率应用理想之选的SiC衬底
GaN(GaN on SiC),一种是能够增大晶圆直径、批量时驱动成本下降的Si衬底GaN(GaN on Si),后
者能充分利用CMOS提供的传统规模经济效应。MACOM公司希望氮化镓能够涉足所有的射频功
能和应用。
宽带GaN放大器
作为射频和微波应用中的一种宽带隙半导体技术,Si衬底GaN具有高功率密度、高效率和高散
热属性,因此正成为主流商业应用的重要选择。Si衬底GaN可以提供8倍的GaAs原始功率密度
下接5页
新品速递 本期推荐技术
L-3 Communications Narda
文档评论(0)