垂直式gan led 制程中研磨技术之研究 - ctuedutw.pdf

第九屆智慧生活科技研討會(ILT2014) ISBN/978-957-21-9400-3 2014年6月6日台中 台灣 The9thIntelligentLivingTechnologyConference 垂直式GaN LED製程中研磨技術之研究 黃勝 斌* 楊世偉 建國科技大學電機工程學系 sbhwa@.tw,shiwei@.tw 摘要 板（Sapphire）轉移到導熱性良好的基板上。 高功率白光 LED 技術已成為世界各先進 而 Flip-Chip 和 Wire-bonding 結構是已 國家在固態照明上積極發展之重點科技。垂直 Sapphire 為基板，所以 Thin-GaN 結構比 式結構是高功率LED的主要技術之一，在垂直 Flied-Chip和Wire-bonding更具有極佳的散 式結構製程中藍寶石(Sapphire)基板的剝離 熱性和導電性[4][5]。 是一重要製程。本研究主要討論Thin-GaNLED 製程中研磨技術對雷射剝離(Laser lift-off) 2、實驗方法及步驟 的影響 晶圓接合（wafer bonding）後的研磨製 研磨製程需要快速且有平坦的表面來提 程需要快速且有平坦的表面來提升雷射剝離 升雷射剝離的良率。實驗首先找出粗磨及細磨 的良率。經由實驗得知：以粗磨參數S1轉速 移除率最佳者，並用最佳參數之移除率作為下 1000rpm 及 S2 轉速 150rpm 及進擠量 20μ 一步實驗參考；其次以細磨後的表面粗糙度去 m/min，可有最佳之移除率；平坦化則可由細 做LaserLift-Off(LLO)解離觀察晶片表面是 磨及化學機械研磨(Chemical mechanical 否殘留刮痕及髒污痕跡；最後加入化學機械研 polish-CMP)完成，在細磨參數選用鹼性3μm 磨 (Chemical mechanical polish - 鑽石液、PP轉速75rpm、銅盤轉速80rpm及加 CMP)[6][7]，將晶片表面再做優化，並使用光 工壓55kg，結合CPM中PC-2 0.4kg、研磨盤 學顯微鏡(Optical Microscopy–OM)及原子 轉速40rpm及軟拋時間20min，表面粗糙度可 力顯微鏡(AtomicForceMicroscopy-AFM)[8] 達到0.8nm，於Laser Lift-Off解離後，在 等測量表面微粗糙度，取得CMP後表面粗糙度 OM檢視下無殘留因表面刮痕留下的異常。 對Laserlift-off剝離的影響。 關鍵詞：研磨、化學機械研磨、雷射剝離 3、結果與討論 1、前言 本實驗最終目的是使用研磨製程製作一 個表面狀況較佳的藍寶石基板，可以LLO順利 高功率白光 LED 技術已成為世界各先進 解離且不會破壞磊晶層及殘留下不明刮痕等 國家在固態照明上積極發展之重點科技，預計 狀況，而本實驗之機台作業必須三片晶片以上 在未來幾年之內高亮度白光 LED 可達到 才能作業，而每片晶片原始厚度皆不同，因此 300lm/W剩至更高的發光效率，其發光效率可 必須用粗磨將晶片厚度差做排除，再以細磨將 以全面取代日常生活中之照明器具[1]。達到 粗磨所產生的刮痕拋除，以便後續化學機械拋 以上目的前首要