非等电子sb替换cu和te后黄铜矿结构半导体cu3ga5te9 - 物理学报.pdf

物理学报 Acta Phys. Sin. Vol. 63, No. 5 (2014) 057201 非等电子Sb替换Cu和Te后黄铜矿结构半导体 Cu Ga Te 的热电性能 1)2) 1) 1)2) 1) 2) 孙政 陈少平 杨江锋 孟庆森 崔教林 1)(太原理工大学材料科学与工程学院, 太原 030024) 2)(宁波工程学院材料学院, 宁波 315016) ( 2013 年10 月9 日收到; 2013 年11 月24 日收到修改稿) 热电材料是一类能够实现热与电相互转换的功能材料, 在制冷和发电领域极具应用潜力. 本文采用金属 Sb 元素非等电子替换Cu Ga Te 化学式中的Cu 和Te, 观察到材料Seebeck 系数和电导率提升的现象. 这些 电学性能的改善与载流子浓度和有效质量的增大及迁移率基本维持不变有关. 载流子浓度的提高是由于Sb 原子占位在Te 晶格位置后费米能级进入到价带所产生的空穴掺杂效应所致, 同时也与Cu 含量减少后铜空位 ( Cu) 浓度增大相关联. 另外, 非等电子替换后, 阴离子(Te) 移位导致了晶格结构缺陷参数 和 的改 变, 其改变量∆ 和∆ 与材料晶格热导率(L ) 的变化密切相关. 在766 K 时, 适量的Sb 替换量使材料的最 大热电优值(ZT) 达到0.6, 比Cu Ga Te 提高了近25%. 因此, 通过选择替换元素、被替换元素及替换量有效 地调控了材料的电学及热学性能, 在黄铜矿结构半导体中实现了非等电子元素替换改善热电性能的思想. 关键词: 黄铜矿结构半导体, Cu Ga Te , 非等电子替换, 热电性能 PACS: 72.15.Jf, 73.50.Lw, 61.50.–f, 61.82.Bg DOI: 10.7498/aps.63.057201 I-III-VI 型p 型半导体化合物之一, 具有直接带隙. 该化合物是由Cu Te 和Ga Te 两组元组成的赝 1 引 言 两元合金 (Cu Te) (Ga Te ) , 其中x = 0.625. 热电材料能够实现热能与电能的直接相互转 在I-III-VI 型黄铜矿结构化合物(例Cu-Ga-Te) 中 换. 由热电材料制作的器件具有结构简单、体积小、 存在着阴阳离子缺陷对(GaCu + 2V Cu)(其中 寿命长, 无运动部件、可靠性好, 工作时无声音、无 GaCu 表示Ga 原子占据在Cu 原子位置的反结构 磨损, 无污染等突出优点, 因此在发电及制冷领域 缺陷, 2V 表示2 个Cu 原子空位)56 . 虽然该缺 Cu 具有广泛的应用前景. 热电材料的性能由无量纲 陷对中的阴、阳离子浓度可以较高, 但该阴阳离子 在哥仑布引力作用下会产生湮没, 因此在本征情 优值ZT 表示,