InGaAsGaAs应变量子阱固态源分子束外延生长的分析.pdfVIP

摘要 摘要 的有源区，从MBE设备稳定性，结构设计，生长实验，性能测试，以及生长停 顿技术等方面进行了优化研究。论文的主要研究内容和研究成果包括： 1．通过对应用不同类型MBE源炉生长980rimInGaAs／GaAs应变量子阱的 光致发光光谱的研究，分析锥形炉和Muscle形hl炉对分子束的输送差异和稳定 性的影响。 InGaAs／GaAs应变量子阱激光器的激射波长相对应的Ill组分和阱宽进行了理论 分析计算；对样品进行了扫描电子显微镜、光致发光光谱、反射谱、受激发射 激光光谱测试和分析，得到了高质量的芯片材料。 3．研究了生长停顿技术在InGa．As／GaAs应变量子阱中的应用。介绍了为了 避免在改变生长温度时产生热弛豫的影响而引入的生长停顿；研究了在阱和垒 缓冲层界面引入生长停顿对外延质量的影响，通过对PL谱测试比较可以得出引 入该生长停顿会改善外延材料的发光质量；讨论了hl原子外延停顿对量子阱质 原子停顿生长(亚单层生长)比直接淀积的质量要好，前者的PL谱峰强，半高 宽窄。但对于1064rimInGaAs／GaAs应变量子阱生长过程中采用IIl原子停顿生 长质量反而变差。可能是由于对于1064rimInGaAs量子阱而言更容易加剧hl原 子的局域化程度。 InGaAs／GaAs 关键词： OPS．VECSEL生长停顿 Abstract Abstract The VerticalExternal Semiconductor OPS—VECSEL(Optically Pumped Cavity SurfaceEmission anovelsemiconductorlaserandcanbe in Laser)is appliedmany fields ofInGaAs／GaAsstrained wellsasactive potentially．Thegrowth quantum ofOPS-VECSEL solidsourcemolecularbeam werestudidedin region using epitaxy this main andresultsaresummarizedasfollows： paper．Thedevelopments 1 Theinfluence In on differentatomssourogfurnaceto using grow InGaAs／GaAsstrained wellswassmdied．Theresultsindicatethat quantum analyzed MuscleIn the typeatomssourcefurnaceto can the using growchip improvequality ofthe chip． 2AVECSELwith n／n of1064 was MBE．Resultsof