可调电阻区I 器件的.PDF

上节课内容回顾 上节课内容回顾 ÿ全控型器件 P-MOSFET 通过控制信号既可控制其导通又可控制其关断 ÿ是单极型晶体管 （导通时只有一种极性的载流 子参与导电）。 GTO ÿ导电机理与小功率MOS管相同，但结 上有较 ÿ晶闸管的一种派生器件。 大区别。 ÿ可以通过在门极施加负的脉冲电流使其关断。 ÿ采用多元集成结 （104 ～105 ） ÿ电压、电流容量较大，与普通晶闸管接近，在 兆瓦级以 的大功率场合有较多应用。 GTR ÿ晶体管的一种派生器件 ÿ20世纪80年代，在中、小功率范围内取代晶闸 管，但目前又大多被IGBT和P-MOSFET取代。 5.3.2 P-MOSFET的静态特性和参数 5.3.3 等效电路 （动态特性和参数） 3个区域： ÿ可调电阻区I 器件的电阻值是变化的。 ÿ饱和区II （恒流区） 共源电路 对应于双极晶体管的放大区。 ÿ雪崩区III 入电容 漏极pn结发生雪崩击穿。 C C C i GS GD 输出特性 5.3.3 开关特性（动态特性和参数） 5.3.3 开关特性（动态特性和参数） ÿMOS管存在输入电容Ci ÿ加 栅极控制电压uc 时，C 有充电过程 i ÿuGs 升到开启电压uT 时，才开始出现漏极电流 iD 开通延迟时间td(on) ÿuGs继续 升，进入可变 测试电路 开关过程波形 电阻区的栅压uGSP （预夹 断电压） 升时间tr ÿup 脉冲信号源；RS 信号源内阻 ÿRG 栅极电阻；RL 负载电阻 ÿRF 检测漏极电流 MOS管的开通时间：ton ＝td(on)+tr 1 5.3.3 P-MOSFET的开关特性 5.3.3 P-MOSFET的开关特性 ÿ控制电压u 下降时，C c i ÿMOS管的开通、关断 放电，uGs下降。 时间与MOS管的开启电 ÿu 下降到u 时，i 才 Gs GSP D 压u 、充电电容C 等有 开始减小 关断延迟时