立方氮化硼薄膜中的氧杂质-无机材料学报.PDF

第25 卷 第7 期 无 机 材 料 学 报 Vol. 25 No. 7 2010 年7 月 Journal of Inorganic Materials Jul. , 2010 文章编号: 1000-324X(2010)07-0748-05 DOI: 10.3724/SP.J.1077.2010.00748 立方氮化硼薄膜中的氧杂质 杨杭生, 邱发敏, 聂安民 (浙江大学 材料科学与工程学系 硅材料国家重点实验室, 杭州310027) 摘 要: 采用等离子体增强化学气相生长技术制备立方氮化硼薄膜, 系统研究了背底真空度和生长过程中氧气的存 −5 在对立方氮化硼薄膜中氧杂质含量的影响. 发现把背底真空度提高至 1×10 Pa 仍然不能有效消除立方氮化硼薄 膜中的氧杂质. 随着立方氮化硼薄膜中氧杂质的增加, 其红外吸收谱的Lorentz 拟合发现, 在 1230~1280 cm-1 附近 出现由氧原子与硼原子结合形成的B−O 键的反对称伸缩振动引起的吸收峰. 该吸收峰的强度与薄膜中的氧杂质含 量有较好的线性关系, 因此可以通过分析该吸收峰的强度半定量地测定立方氮化硼薄膜中的氧杂质含量. 关 键 词: 立方氮化硼薄膜; 等离子体增强化学气相生长; 红外光谱; 氧杂质 中图分类号: TQ174 文献标识码: A Oxygen Impurity in Cubic Boron Nitride Thin Films Prepared by Plasma-enhanced Chemical Vapor Deposition YANG Hang-Sheng, QIU Fa-Min, NIE An-Min (State Key Laboratory of Silicon Materials, Department of Materials Science and Engineering, Zhejiang University, Hangzhou 310027, China) Abstract: Cubic boron nitride thin films were prepared by inductively-coupled plasma-enhanced chemical vapor depo- sition (ICP-CVD). The influences of base pressure and oxygen concentration on the content of oxygen impurity for cubic boron nitride film deposition were investigated. It was found that approximately 2% of oxygen impurity can still be de- −5 tected in cubic boron nitride films even unde