聚焦离子束_FIB_的透射电镜制样.pdfVIP

电子显微学报　J. Ch in. E lect r. M icro sc. Soc. 　　　　 19 (4) ∶5 13～ 5 14　2000 年 5 13 聚焦离子束(F IB ) 的透射电镜制样 唐雷钧　谢　进　陈　一　郑国祥　宗祥福 ( 复旦大学材料科学系, 上海 200433) 亚微米 IC 芯片的发展, 对于 T EM 在 IC 的失效分析和工艺监控过程中所担负的工作提出 [ 1 ] 了越来越高的要求。许多方法和手段被用于解决 制样这个问题 。 技术被证明为现今 T EM F IB [2 ] 最有效的精确定位制样的方法 。原有 T EM 制样技术的定位减薄难, 单次制样成功率低, 且对 单一器件的定位能力差的难题, 可通过电视监测和聚焦离子磨削的方法加以克服。利用这种技 术, 可以完成以往难以实现的 IC 芯片的精密定位制样工作, 使透射电镜在亚微米级 IC 的分析中 达到实用性阶段。本文介绍该技术使用的具体方法。 实验过程 实验所用设备为美国 . 公司所生产的 200 型聚焦离子束系统。 fei F IB 1. 获取特定 目标: 将需要分析的 IC 样品与切成同样大小的陪片和玻璃胶合在一起。此过程 [3 ] 的关键是粘合玻璃和 IC 样品的粘合剂必须能溶解于有机溶剂。利用“劈”形制样技术 将 IC 样 品减薄至 20～ 30m 。此时的被分析 目标应落于样品的中心位置。 2. F IB 的减薄过程: F IB 用于 T EM 制样的工作原理是: 位于离子腔顶端的液态镓金属源, 经 较强的电场抽取出带正电荷的镓离子。加速后的高能离子束与样品碰撞、溅射以达到减薄试样的 目的。整个过程可分为对试样的初步减薄和精密减薄两个部分。在进行减薄之前, 要在 目标位上 ( ) 淀积一层 1m～ 2m 厚的P t 薄膜, 用于保护试样的目标区域 见图 1 。 在初步减薄阶段, 我们选用了Box 溅射模式, 我们从 20m 开始对试样进行等厚度的双面减 薄, 减薄深度为 3. 5m 。离子束的减薄选框可定义在距试样 目标 5m～ 2m 的位置。离子束强度 从 6nA～ 3nA 进行递减。当试样减薄至距 目标 1～ 2m 时, 就进入了精密减薄区域。这时首先要 将样品台倾转 1°, 用以抵消因离子束平行入射而形成试样上薄下厚的现象。开始减薄时可利用 强度为 1nA 的离子束, 凹坑深度定义到 2m 。在减薄过程中, 用监视器不断监控减薄过程, 图像 可放大至 12 ～ 20 ( 图2) , 当距离 目标区域 0. 1～ 0. 35 时, 将离子束的强度减至 350 . , 用 k k m pA 电子显微学报　J. Ch in. E lect r. M icro sc. Soc. 5 14 　　　　 1