网站大量收购独家精品文档,联系QQ:2885784924

Orion Ⅲ等离子体增强化学气相淀积台设备手册.PDF

Orion Ⅲ等离子体增强化学气相淀积台设备手册.PDF

  1. 1、本文档共9页,可阅读全部内容。
  2. 2、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。
  3. 3、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载
  4. 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
查看更多
Orion Ⅲ等离子体增强化学气相淀积台设备手册

Orion Ⅲ等离子体增强化学气相淀积台设备手册 作者: 张忠会 版本号: 1.设备名称: 等离子体增强化学气相淀积台 型号: TRION 序号: ORION Ⅲ PECVD 图1. 设备所在位置( 标示处) 2 . 设备功能 PECVD是一种高频辉光放电物理过程和化学反应物相结合的技术。此设备在 100~400 ℃下淀积SiO 、SiN 、SiO N 、ɑ -Si、SiC 高低应力SiN 薄膜。反应气体 x x x y x x 主要是元素的氢化物。 洁净等级: MOS级 硅片尺寸: 单个基片、碎片或带承片盘的基片(2 〃-300nm) 3 . 设备工作原理 等离子体增强化学气相淀积通过反应气体在高频辉光放电等离子体中受激、 分解、离解、和离化,使具有高反应活性的中性物质被吸附到较低温度的基体表 面上,发生非平衡的化学反应沉积生成薄膜。该设备为冷壁平行板PECVD。 RF 电 源 DIANYU 等离子体 AN 硅 片 电 极 加 热 反应气体 真空泵 图2. PECVD基本原理图 1 / 9 4 . 设备说明 (该设备的具体情况,结合总体与细节照片,气路、水路、电路 等)图3为本设备照片。设备主要包括主机、气路系统、射频电源、真空泵 等部分。 流量计 电源箱 反应腔 显示器 键盘控制器 图3. 设备图 本设备可以淀积多种薄膜,相应地接入了多种工艺气体,包括:SiH 、N O、 4 2 NH 、CH 、SF 、Ar 、He、PN 、GN 、PO 、PH 。 (见图4 ) 3 4 6 2 2 2 2 图4a. 气路系统 2 / 9 图4b. 气路系统 真空系统为一个干泵 真空泵启动盒 图5. 真空干泵 3 / 9 5. 安全说明 (操作与维护的安全说明,包括电、特气等对人身的安全,以及 操作规范对设备的安全) (1) 设备上电时,小心高压交流电。 (2) 加热器工作时,反应腔体外壁很热,注

文档评论(0)

youbika + 关注
实名认证
内容提供者

该用户很懒,什么也没介绍

1亿VIP精品文档

相关文档