第四课非晶矽太阳能电池.ppt

第四章　非晶矽太陽能電池　P 118 4-3-5非晶矽太陽能電池的模組製程技術 圖4-16 太陽能電池及其模組，連接一個防逆二極體元件的等效電路示意圖 * 　第四章　非晶矽太陽能電池 4-1 非晶矽太陽能電池的發展及其演進 4-2 非晶矽太陽能電池的基本結構及其特性 4-3 非晶矽太陽能電池的製程技術 內容大綱 本章節將討論以及探討的內容，主要有三大部分： 非晶矽太陽能電池的發展及其演進 非晶矽太陽能電池的基本結構及其特性 非晶矽太陽能電池的製程技術 88 4-2-1非晶矽太陽能電池基本結構 90 圖4-1 兩層式或三層式非晶矽太陽能電池元件的基本結構示意圖 史坦伯 - 勞斯基效應 (Staebler-Wronski Effect, SWE)，又稱之為光輻射性能衰退效應 (Photonic Radiation Degradation)： 太陽光照射之後的短時間之內，其光電轉換的性能將會大幅地衰退，而其衰退的程度約為10.0%?30.0%，如圖4-2所示 91 4-2-1非晶矽太陽能電池基本結構 91 圖4-2 史坦伯 - 勞斯基效應以及懸吊鍵的示意圖 4-2-1非晶矽太陽能電池基本結構 93 4-2-2非晶矽太陽能電池特性 圖4-3 在p-n接面型以及p-i-n接面型元件中光電流產生的機制示意圖 94 4-2-2非晶矽太陽能電池特性 圖4-4 單晶矽的、非晶矽的、以及多晶矽的結晶結構示意圖 通常，適用於太陽能電池之透明導電薄膜電極的特性要求有： 1.高的光透過率 2.低的表面電阻值 3.好的歐姆接觸電極 4.組織化表面結構 5.安定的化學特性 96 4-2-3透明導電薄膜材料及其特性 透明導電薄膜成形的材料，有摻雜3.0~10.0 wt% 氧化錫的氧化銦 (In2O3)，以及銦錫合金等兩種。 銦錫氧化物 (Indium Tin Oxide，In2O3-SnO2, ITO) 是一種n型的半導體材料。 96 4-2-3透明導電薄膜材料及其特性 透明導電氧化物具有高的透明性以及高的導電性，其主要的物理機制將分述如下，其基本機制的示意圖，如圖4-5(a) 以及4-5(b) 所示 在高的導電性方面，其基本的機制是氧空孔缺陷 (Oxygen Vacancy Defect) 以及置入型原子缺陷 (Interstitial Defect) 等所導致的；如圖4-5(b) 所示 97 4-2-3透明導電薄膜材料及其特性 97 4-2-3透明導電薄膜材料及其特性 圖4-5 高的透明性 (a) 以及高的導電性 (b) 透明導電氧化物的基本物理機制示意圖 就銦錫氧化物而言，透明導電薄膜成形的方法： 濺鍍法 (Sputtering) 電子束蒸鍍法 (Electron Beam Evaporation) 熱蒸鍍法 (Thermal Evaporation Deposition) 化學氣相鍍膜法 (Chemical Vapor Deposition) 噴霧熱裂解法 (Spray Pyrolysis) 100 4-2-3透明導電薄膜材料及其特性 薄膜型矽太陽能電池元件的製作方法： 液相磊晶 (Liquid Phase Epitaxy, LPE) 低壓化學蒸鍍 (Low Pressure CVD, LP-CVD) 常壓化學蒸鍍 (Atmosphere Pressure CVD, AP-CVD) 電漿強化化學蒸鍍 (Plasma Enhanced CVD, PE-CVD) 離子輔助化學蒸鍍 (Ion Assisted CVD, IA-CVD) 熱線化學蒸鍍 (Hot Wire CVD, HW-CVD) 101 4-3-1非晶矽太陽能電池的薄膜製作技術 就電漿技術的應用而言： 物理式沉積技術 (Physical Vapor Deposition, PVD) 化學式沉積技術 (Chemical Vapor Deposition, CVD) 乾式蝕刻技術 (Dry Etching) 就電漿狀態而言，氣體分子或粒子的碰撞機制方式： 有游離化 (Ionization) 分解化 (Dissociation) 分解游離化 (Dissociative Ionization) 激發鬆弛化 (Excitation Relaxation) 103 4-3-1非晶矽太陽能電池的薄膜製作技術 103 4-3-1非晶矽太陽能電池的薄膜製作技術 圖4-7 電漿技術的應用分類示意圖 利用電漿沉積技術來進行原子薄膜層的沉積以及形成，一般原子薄膜層沉積技術 (Atomic Layer Deposition, ALD)，可以分為四大反應步驟： 1.反應性前驅體分子 (Precursor Molecules) 沉積於基板表面而