1997～1998年国际磁学进展综述 - 硬件和射频工程师.PDF

磁性材料及器件990101 Page 1 of 6 磁性材料及器件 JOURNAL OF MAGNETIC MATERIALS AND DEVICES 1999年 第1期 No.1 1999 1997～1998年国际磁学进展综述* （一）一般磁性、非金属磁性和材料及磁共振 李国栋 摘 要 综合介绍1997～1998年间国际磁学和磁性材料在应用和基础研究方面的若 干新进展。这是从1977年开始的每年综述的继续。全文分（一）（二）两部分。第一部 分为一般磁性、非金属磁性和材料及磁共振，主要介绍一般和非金属磁性、微波磁学、 磁光、磁畴和磁泡、磁记录及各种磁共振（铁磁、顺磁、核磁共振和M ssbauer效 应）。第二部分为金属磁性和材料、新技术、新应用及边缘磁学，主要介绍金属磁性、 稀土、非晶和纳米材料、其他新磁性材料、新技术、新应用及边缘磁学（生物磁学、地 球和宇宙磁学、原子核和基本粒子磁学）。资料取自这一时期的磁学会议和期刊文献。 附录中列出1998年国内外有关磁学会议的题录。 关键词 磁性 微波磁学 磁光 磁畴 磁共振 1 一般磁性、非金属磁性 近年磁电子学的兴起引起凝聚体物理界和微电子学高新技术界的广泛关注，巨磁电 阻效应和庞磁电阻效应的研究和应用是其中的一个重要项目。最近研究了隧道型巨磁电 阻材料Co-Al-O绝缘颗粒薄膜的巨磁电阻与温度和偏电压的关系。薄膜是采用反应溅射 技术并利用Ar＋O2混合气体在玻璃基片上制备的。实验结果表明，磁电阻的增大远超过 简单模型的理论值。这一反常性能与宏观隧道结形成对照 ［1］ 。对磁记录密度增加的 要求使磁电阻特别是巨磁电阻读出磁头日益受到重视。研究表明，由一薄绝缘层分开的 两铁磁层系统在一定条件下可构成铁磁隧道结，其隧道电阻随磁化强度的相对取向而改 变。最近研制成的Ni-Fe／Co／Al-AlO ／Co／Ni-Fe／Fe-Mn／Ni-Fe结多层膜在300℃退 x 火1小时后可得到24％的类自旋阀的磁电阻变化 ［2］ 。在研究Cr-Fe-V系自旋密度波合 金（2．7％Fe）和顺磁性合金的磁化率与温度和磁场的关系时，在 ×105A／m磁场和 5～400K的温度范围内，观测到在磁场冷却状态和零磁场冷却状态之间的滞后现象。研 究表明，这两类合金的磁化率滞后现象是由Cr原子磁矩的受挫重组引起的 ［3］ 。随着 纳米技术和纳米材料的发展，磁膜和多层磁膜的研究日益受到重视。在金属多层磁膜的 较多研究之后，最近研究了Fe O ／MgO多层膜。材料是采用氧-等离（子）体助分子束 3 4 外延方法制得的。Fe O 每层厚1～8．2nm，MgO每层厚1．9～2．4nm，多层膜总厚约150 3 4 ～300nm。实验研究结果为，多层膜的居里温度随每层Fe O 的厚度减小而降低，饱和磁 3 4 ［4］ 化强度都低于200nm厚的Fe O 薄膜 。最近在研究Fe／Cu（1．5／1．5nm）多层膜和 3 4 Fe／CaF 6 2 （5／40nm）膜的磁化率与温度（5～400K）和磁场（＜