现代CMOS电路的噪声问题及其抗噪声优化设计.pdfVIP

接 要 摘 要 随精现代CMOS集成电路向更大规模，璺小特征尺寸方向发展，电路中的主 要噪声源已铁器件的固有噪声避渡到蠢挂底糕会以及数字模拟模块阉瓣相互事撬 而引越的噪声。其中，受噪声影响的不仅仅是传统的模拟部分，还包括数字部分 戈其是动态数字电路。因此传统匏晶体管级电鼹分板技术已经不戆逶瘫集成度霾 益增加的现代CMOS电路。本论文以现代CMOS电路中愈来愈突出的噪声问题为 研究对象，从爨论上磷究了嚣{睾噪声鲍巍理，根据不阏模块阉予扰鲍舆体表瑗， 研究了电路耦念噪声的机理并给出了深亚微米集成电路中的噪声解析模型，提出 了具体灼噪声优化电黪设计方法学和鞠应的优化实例。 在器件噪声机理研究中，针对模拟电路中器件噪声的影响和低噪声应用场含， 研究了器传的热噪声、l馒噪声以及阻性多晶硅拯上的噤声，衬底电阻＆相关的热 噪声，以及与满源反偏PN节栩关联的散粒噪声，并己将其在模拟电路的噪声计算 和低噪声分析中加以等效，给如基于器件的低噪声化一般思路謦Ⅱ等效过程。 在深亚微米集成电路的噪声模型建立过程中，研究了以数字电路为主体噪声耦 合方式以及不网单元电路抗噪声建模方法，依据深亚微米噪声的表现形式，绘出 了其体的分析方法学和优亿原刘。 在电路的噪声优化设计方法学成型过程中，以现代CMOS电路中发现突出的 动态彀龉嗓声阔题和数模混合信号电路中豹同步开关嗓声及槽芙的衬底噪声为研 究实例，提出新的抗噪声动态电路形式，用全加器对此进行了验证；对同步歼关 嗓声律了深入分析，铸真结栗袭明同步开关缣声与开关数嚣凝有亚线往关系。最 后，给出了衬底噪声优化的实用方法。 关键词：集成电路噪声分析深亚微米噪声加固 Abstract ICs to noisecomesfromthe WitllCMOS scale．more larger coupling development inthecircuitthanthe charactersof andinteraction effect physical device，while circuitsbutalso circuitare CMOS traditional ICs，not analog digital nowadays，in only the morethe circuits．Tllis disturbed former,even dynamic papergivesanalysis by digital in ofdevice noiseandinteractionin a ofnoisemodel circuits，and niose，coupling study detailedmethodand instanceofnoise DSM，thenpropose