一种CMOS带隙基准源的设计与仿真.pdfVIP

162 福 建 电 脑 2012年第 2期 一 种 CMOS带隙基准源的设计与仿真 谢应孝，单海校，刘国平 (浙江海洋学院机 电工程学院 浙江 舟 山 316000) 摘【 要】：分析了传统带隙基准源的基本原理，并在此基础上一款CMOS带隙基准源 电路。该电路 基于UMC0．18mCMOS工艺设计 ，利用cadence软件进行仿真。仿真结果表明，CMOS带隙基准源稳定 输 出电压 1．22V，该 电路在温度从一50—1o0℃进行扫描 ，其变化率为 10．7ppm／~C。电源电压在 1．7V—1．9V范 围内发生变化时带隙基准源输出电压变化很小。 关【键词】：带隙基准源；CMOS；温度系数 1、引言 互抵消 ．可以得到在某一温度下零温度 系数的基准电 基准电源是在 电路 中用做基准的精确 、稳定 的电 压 ： 源 ，广泛应用于模数转换器(ADC)、数模转换器fDAC)、 = + f11 开关电源 、电压调节器 、电压检测器等模拟和数模混合 式 中，Vr=KT／q为热电压 ，K是玻尔兹曼常数 ，q是 集成电路中．是必不可少的基本单元 ．其性能好坏直接 单位电荷量 ，T为绝对温度2【j 影响系统的性能稳定。高精度、高稳定性的CMOS基准 3、带隙基准源的电路结构 源是高性能模拟集成电路的必要单元 双极品体管的基极 一发射极 电压,pn结二极管 的 随着片上系统 的迅速发展 ．系统要求模拟集成模 正向电压 ，具有负温度系数 。由(2)式 ： 块能够兼容标准 CMOS工艺．在片上系统上 ．数字集成 模块 的噪声容易通过电源和地耦合到模拟集成模块 ． = 龃 ThI一、(4+)T一kT i 这要求模拟集成模块的PSRR非常高。同时．由于移动 电子设备的逐渐增多．要求模拟集成 电路 的电源电压 一 (4+m)Vr-E。／q 能够降至 lV左右 ，功耗在 W量级上。带隙基准源同 时具有与标准 CMOS工艺完全兼容：可以工作于低 电 给 出了在给定温度 T下基极 一发射极电压的温度 源电压下；温度漂移、噪声和PSRR等性能能够满足大 系数 ，从中可以看出，它与 vBE本身的大小有关 。当 部分系统的要求 。正是具备以上优点．带隙基准源得到 VBE 750mV，T=300K时 ，a ／OT=-15mV／K 。 了广泛的研究与应用f1] 2、带隙基准源的基本原理 图1带隙基准源基本原理 图 2PTAT电压产生 电路 带隙基准源的基本原理是根据硅材料的带隙电压 如果两个双极晶体管工作在不相等的电流密度 与温度无关的特性 ．利用具有负温度系数的三极管基一 下 ．那么它们的基极 一发射极 电压的差值就与绝对温 射极 电压 vBE和具有正温度系数的热 电压 v相加 ，选 度成正比 如图2所示 ，如果两个同样的晶体管偏置的 择适 当的系数 ，实现低温漂 、高精度的基准电压。如图 集 电极 电流分别为 nI。和 I。并忽略它们 的基极 电流 ， l所示 ，双极 晶体管提供发射极与基极之问电压 V ， 那么 ： 由两个晶体管之间的△V瓯产生 V，通过电阻网络将 △ ： ln 一 ln ：VrInn (3) v 放大 K倍 。最后将两个 电压相加 ，形成基准输 出电 JS1 』S2 压 选择适当的放大倍数 K．使两个电压的温度系数相 这样．VBE的差值就表现出正温度系数： 2012年第 2期 福 建 电 脑