微型计算机中存储器.ppt

第4章 微型机中的存储器 教学重点 半导体存储器的组成 常用芯片使用介绍 SRAM、EPROM与CPU的连接与扩 展 4.1 概述 存储器与运算器、控制器一起，构成了计算机的主机系统； 在主机内部的存储器被称为主存，在主机外部的存储器被称为外存； 外存中的信息要通过接口电路调到内存，CPU才能使用。 4.1 概述 按存储介质，可将存储器分为半导体存储器和磁存储器； 按存取方式，可分为随机存储器和顺序存储器； 按读写功能，可分为读/写存储器和只读存储器； 按信息的可保存性，可分为易失性和永久性存储器。 4.1 概述 存储器的主要性能指标： 存储容量： 存储容量=存储单元数×每个单元的二进制位数 注意，这里的单元指具有同一地址的存储单位。 速度：存储器的速度用取数时间和存储周期衡量； 价格：常用每位的价格衡量，不仅包含存储元件本身的价格，还含有为该存储器操作服务的外围电路的价格； 存储器的总价格正比于存储容量，反比于存储周期 存储器的层次结构 在CPU内部设置多个通用寄存器，用来存放中间数据； 采用多存储模块交叉存取，把主存分成多个模块，信息交叉存储； 采用高速缓存，置于主存与CPU之间。 4.2 内部存储器的组成 1.半导体存储器的分类： 按制造工艺 双极型：速度快、集成度低、功耗大 MOS型：速度慢、集成度高、功耗低 按使用功能 随机存取存储器RAM：可读可写、断电丢失 只读存储器ROM：正常只读、断电不丢失 图4.2 半导体存储器的分类 读写存储器RAM 只读存储器ROM 掩膜ROM：信息制作在芯片中，不可更改； PROM：允许一次编程，此后不可更改； EPROM：用紫外光擦除，擦除后可编程；并允许用户多次擦除和编程； EEPROM（E2PROM）：采用加电方法在线进行擦除和编程，也可多次擦写； Flash Memory（闪存）：能够快速擦写的EEPROM，但只能按块（Block）擦除。 2 半导体存储器芯片的结构 ① 存储体 存储器芯片的主要部分，用来存储信息 ② 地址译码电路 根据输入的地址编码来选中芯片内某个特定的存储单元 ③ 读/写电路 ■ 包括读写放大器和数据缓冲器，是输入和输出通道。 ④ 片选和读写控制逻辑 选中存储芯片，控制读写操作 ① 存储体 存储体是由大量的位存储单元按矩阵方式排列的组合体。每个位存储单元只能存储1位二进制信息。 存储一个字节的容量被称为1个存储单元。每个存储单元被赋予一个惟一的编号，即该单元的地址。 存储单元的容量与地址线位数有关： 2n ＝ N n：地址线位数 N：存储单元的容量 ① 存储体 注意：存储器芯片的存储容量与地址、数据线的位数有关： 芯片的存储容量＝2n×m ＝存储单元数×存储单元的位数 n： 芯片的地址线根数 m：芯片的数据线根数 ② 地址译码电路 单译码结构：也叫字结构，只用一个译码器，译码输出的字选择线直接选中地址所表示的存储单元； 双译码结构：又称重合译码，用2个译码器分别译码，X向选中矩阵中行存储单元，Y向选中矩阵中列存储单元，只有XY相同时选中的存储单元才能进行读/写操作。 双译码可简化芯片设计 主要采用的译码结构 可减少译码器的输出线，简化译码器结构 ③ 片选和读写控制逻辑 片选端CS*或CE* 有效时，可以对该芯片进行读写操作 读RD*或OE* 控制读操作。有效时，芯片内数据输出 该控制端对应系统的读控制线 写WR* 控制写操作。有效时，数据进入芯片中 该控制端对应系统的写控制线 3 随机存取存储器 静态RAM SRAM 2114 SRAM 6264 静态RAM SRAM的基本存储单元是触发器电路 每个基本存储单元存储二进制数一位 许多个基本存储单元形成行列存储矩阵 SRAM一般采用“字结构”存储矩阵： 外部电路较简单； 功耗较大。 SRAM芯片2114 存储容量为1024×4 18个引脚： 10根地址线A9～A0 4根数据线I/O4～I/O1 片选CS* 读写WE* SRAM芯片6116 存储容量为2K×8 24个引脚： 11根地址线A10～A0 8根数据线D7～D0 片选CS* 读写W*、E* 动态RAM DRAM的基本存储单元是单个场效应管及其极间电容（记忆元件）； 必须配备“读出再生放大电路”进行刷新； 每次同时对一行的存储单元进行刷新； 每个基本存储单元存储二进制数一位； 许多个基本存储单元形成行列存储矩阵； DRAM一般采用“位结构”存储体： 每个存储单元存放一