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ZnMgO基紫外探测器的研究进展及分析
·22· 材料导报：综述篇
ZnMgO基紫外探测器的研究进展及分析*
张俊，马向丽，王钰萍，吕建国
(浙江大学硅材料国家重点实验室，杭州310027)
摘要 ZnO基三元合金半导体材料因其重要的带隙调制作用，已成为紫外探测器发展的一个重要方向，特另1j
是Znl一：M＆O基紫外探测器，可以探测日盲区紫外光，更是受到了各国极大的关注。当前，Znl一，M＆O基紫外探测
器大多采用MSM叉指结构，响应峰位于300nrn附近，响应时间最高可达ns量级，紫外可见光抑制比亦可大于4个
数量级。扼要介绍了国内外相关小组的研究进展，并着重分析了薄膜组分、结构以及探测器性能参数等。
关键词 ZnMgO紫外探测器性能参数
中图分类号：TN304．2；(M72．3文献标识码：A
RecentAdvancesand inResearchonUVDetectorsbasedon
Analysis ZnMgO
ZHANG
Jun，MA Yuping，LUJianguo
Xiangli，WANG
(State ofSilicon University，Hangzhou310027)
KeyLaboratoryMaterials。Zhejiang
AbstractZnO-based semiconductorshavebeen as materialsforUVdetector
promising
ternaryalloy recognized
candetectultravioletin
duetOtheir ultravioletdetectors light
bandgapengineering．Inparticular，Znl-xMg，O-based
thesolar-blind areof concerntO countries．At detectorsareofMSMinter—
region，sothey great many present，most
the around time ns Uv_visibleratio
structure。with peak 300nm，response level，and reiection
digital response reaching
on detectorsbasedon
thanfourordersof thiswork．therecentadvancesinresearchUV ZrlMgO
greater magnitude．In
filmsareintroducedandthe suchasfilm device
briefly propertyparameter composition，structure，andperformance
arediscussed．
words
Key ZnMgO，UVdetector，property
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