GaAs光电导开关非线性锁定效应的机理研究 - 西安理工大学学报.PDF

　西安理工大学学报 ＪｏｕｒｎａｌｏｆＸｉ’ａｎＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙｏｆＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙ（２０１１）Ｖｏｌ．２７Ｎｏ．４　 ４０７ 　　文章编号：１００６４７１０（２０１１）０４０４０７０４ ＧａＡｓ光电导开关非线性锁定效应的机理研究 １，２ １ １ １，２ 薛红 ，施卫 ，纪卫莉 ，韩小卫 （１．西安理工大学 理学院，陕西 西安７１００５４；２．渭南师范学院物理系，陕西 渭南７１４０００） 摘要：根据光激发电荷畴模型，研究强电场条件下，半绝缘ＧａＡｓ光电导开关体内热电子的瞬态输 运过程及载流子与晶格相互作用的性质，并对光激发单极电荷畴的形成、生长、输运及达到稳定平 衡状态的全过程进行了分析。认为ＧａＡｓ光电导开关的非线性锁定效应是光激发单电荷畴处于稳 定平衡状态时的必然结果，同时，电荷畴内部及前端的强电场区域伴随有热电子强烈的局部碰撞电 离和辐射复合作用，使载流子迅速“雪崩”倍增，形成输出电脉冲的超快上升沿，强电场区出现在 ＧａＡｓ光电导开关的阳极周围，在电荷畴到阳极之间将发生强烈的碰撞电离和辐射复合发光，形成 丝状电流。 关键词：光电导开关；锁定效应；光激发单极电荷畴；非平衡载流子 中图分类号：ＴＮ２５６　　　文献标志码：Ａ  ＬｏｃｋｏｎＭｅｃｈａｎｉｓｍｉｎＮｏｎｌｉｎｅａｒＭｏｄｅｏｆＰｈｏｔｏｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅＳｗｉｔｃｈｅｓ ． １，２ １ １ １，２ ＸＵＥＨｏｎｇ ，ＳＨＩＷｅｉ，ＪＩＷｅｉｌｉ，ＨＡＮＸｉａｏｗｅｉ （１．ＦａｃｕｌｔｙｏｆＳｃｉｅｎｃｅ，Ｘｉ’ａｎＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙｏｆＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，Ｘｉ’ａｎ７１００５４，Ｃｈｉｎａ； ２．ＤｅｐａｒｔｍｅｎｔｏｆＰｈｙｓｉｃｓ，ＷｅｉｎａｎＴｅａｃｈｅｒｓＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，Ｗｅｉｎａｎ７１４０００，Ｃｈｉｎａ） Ａｂｓｔｒａｃｔ：Ａｃｃｏｒｄｉｎｇｔｏｐｈｏｔｏａｃｔｉｖａｔｅｄｃｈａｒｇｅｄｏｍａｉｎｍｏｄｅｌ，ｔｈｅｔｒａｎｓｉｅｎｔｔｒａｎｓｐｏｒｔｐｒｏｃｅｓｓｅｓｏｆｈｏｔｅ ｌｅｃｔｒｏｎｓａｎｄｔｈｅｎａｔｕｒｅｏｆｃａｒｒｉｅｒｓｌａｔｔｉｃｅｉｎｔｅｒａｃｔｉｏｎｉｎｔｈｅｓｅｍｉｉｎｓｕｌａｔｉｎｇＧａＡｓｐｈｏｔｏｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅｓｗｉｔｃｈｅｓ ｗｉｔｈａｎｕｌｔｒａｈｉｇｈｅｌｅｃｔｒｉｃｆｉｅｌｄｓｉｓｄｉｓｃｕｓｓｅｄ；ａｎｄｔｈｅｐｒｏｃｅｓｓｅｓｏｆｐｒｏｄｕｃｉｎｇａｎｄｇｒｏｗｔｈａｎｄａｃｈｉｅｖｅｄｓｔａ ｂｌｅｅｑｕｉｌｉｂｒｉｕｍｓｔａｔｅｏｎｐｈｏｔｏａｃｔｉｖａｔｅｄｍｏｎｏｐｏｌｅｄｏｍａｉｎｉｓａｎａｌｙｚｅｄｉｎｄｅｔａｉｌｓ．Ｔｈｅｒｅｓｕｌｔｓｉｎｄｉｃａｔｅｔｈａｔ ｔｈｅＬｏｃｋｏｎｅｆｆｅｃｔｉｎｎｏｎｌｉｎｅａｒｍｏｄｅｏｆｐｈｏｔｏｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅｓｗｉｔｃｈｅｓｉｓａｓｔａｂｌｅｅｑｕｉｌｉｂｒｉｕｍｓｔａｔｅｏｆｐｈｏｔｏａｃ ｔｉｖａｔｅｄｃｈａｒｇｅｄｏｍａｉｎ（ｍｏｎｏｐｏｌｅｄｏｍａｉｎ），ａｎｄｓｉｍｕｌｔａｎｅｏｕｓｌｙｔｈｅｒｅａｒｅｔｈｅｓｔｒｏｎｇｌｏｃａｌｉｍｐａｃｔｉｏｎｉｚａｔｉｏｎ ａｎｄｒａｄｉａｔｉｖｅｒｅｃｏｍｂｉｎａｔｉｏｎｅｆｆｅｃｔｏｆｈｏｔｅｌｅｃｔｒｏｎｓｉｎｔｈｅｕｌｔｒａｈｉｇｈｅｌｅｃｔｒｉｃｆｉｅｌｄｉｎｔｅｒｎａｌａｎｄｆｒｏｎｔｅｎｄｏｆ ｔｈｅｍｏｎｏｐｏｌｅｄｏｍａｉｎ，ｗｈｅｒｅｂｙｍａｋｉｎｇｃａｒｒｉｅｒｓ“ａｖａｌａｎｃｈｅ”ｑｕｉｃｋｌｙｉｎｍｕｌｔｉｐｌｉｃａｔｉｏｎａｎｄｏｕｔｐｕｔｅｌｅｃｔｒｉｃ ｐｕｌｓｅｒｉｓｉｎｇｒａｐｉｄｌｙ，ｔｈｅｕ