电沉积技术制作高聚物微流控芯片模具 - 电化学.pdf

第 11卷 　第 2期 电化学 Vol. 11　No. 2 2005年 5月 EL ECTROCH EM ISTRY M ay 2005 文章编号 : 1006347 1 (2005) 02 0204 04 电沉积技术制作高聚物微流控芯片模具 罗 　怡 ,褚德南 ,娄志峰 ,刘 　冲 ,王立鼎 (大连理工大学精密与特种加工教育部重点实验室 ,辽宁 大连 116023) 利用电沉积技术制作微流控芯片金属模具 ,方法是 :使用新型超厚光刻胶 SU 8胶作近紫外光刻 ,并 摘要 : 　 在光刻后的图案上电沉积金属 N i,之后去胶 ,最终获得金属模具. 该法减小了电沉积工作量. 采用反向电流预 处理基底 、并适当增加电铸液的添加剂以及脱模后真空退火 ,即可明显提高电沉积微结构与基底的结合力. 用 此金属模具成功热压了 PMMA ,制成了微流控芯片. 关键词 : 　电沉积 ;光刻 ;结合力 中图分类号 : 　TQ 153. 1　　　　　　　　文献标识码 : 　A 微流控芯片技术是从上世纪 90年代初发展起 图形的光刻掩膜尺寸见表 1. 据图 2 ,方案 a 的优点 来的. H arrison等应用湿法刻蚀加工技术将传统的 在于 电沉积 图形与基板一体 , 结合力好 , 但 由于 毛细管移植到玻璃基底芯片上 [ 1 ] , 与常规的毛细 SU 8胶近紫外光刻时侧壁与基底难免有一定的倾 管电泳相比,具有散热性能好 、分离速率快 、分离效 ( o o ) 斜角度 3 ～5 ,这对于模具的制作将产生不利于 果好等优点. 制作微流控芯片的材料主要有 Si,玻 热压或浇注后拔模的斜度 ,而且该法不仅需要电铸 璃以及高聚物 , 由于高聚物微流控制作成本低 , 易 沟道 , 同时还要 电铸出基板 , 电铸的工作量大. 此 于成形制作 ,逐步成为此类芯片的主选材料 [ 2 ] . 此 外 , 由于模具的工作面是依靠电铸后分型获得 ,表 种芯片的沟道制作通常需要使用模具热压成形 面质量较难控制. 方案 b 的优缺点恰与 a相反 , 电 ( ) ( ) PMMA 或浇注成形 PDM S ,在芯片的制作过程 铸后的结构可以产生正的拔模斜度 ;仅仅需要电沉 中高性能的模具起到了至关重要的作用. 金属模具 积沟道 , 电沉积的工作量较少 ;模具的工作面由前 ( ) 具有使用寿命长 通常是硅模具的 10 ～20 倍 ,沟 期的机加工完成 ,因此表面质量控制的方法简单可 道表面质量好等优点 ,是此类芯片模具的首选. 靠 ;缺点在于由于沟道与基板不是一体结构 ,两者 　　本文采用厚光刻胶 SU 8胶的近紫外光刻在金 之间的结合力不如 a 的好 , 需要特殊处理. 综合考 属基底上制作微小结构的电沉积型模 ,然后利用剥 虑 ,权衡利弊 ,最终选择了方案 b. 离技术脱胶模 ,从而得到金属镍的微流控芯片模 具. 同时探讨电沉积工艺流程和参数对模具质量 , 2. 2　电沉积型模制作 尤其是结合力的影响. SU 8光刻胶是一种负性的近紫外光刻胶. 它 2　电沉积方法制作微流控芯片金属 的主要成分是环氧树脂 SU 8,所用的溶剂是环