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模式下的残像研究
第 卷 第 期 液晶与显示
３０ ３
Vol．３０ No．３
ChineseJournalofLiuidCrstalsandDislas
年 月 q y p y
２０１５ ６ Jun．２０１５
文章编号: ( )
１００７Ｇ２７８０２０１５０３Ｇ０３９３Ｇ０６
负性液晶在 FFS模式下的残像研究
１ ２∗
,
童 芬 郭小军
( , )
上海交通大学 电子与通信工程学院 上海 ２００２４０
: , ,
摘要 图像残像是评价画面质量的最重要因素之一 大部分工程师研究了组合物的材料和液晶面板的制造工艺 以改
, ,
善影像残留 但之前的研究主要是以正性液晶材料为基础进行探讨的 本文主要以负性液晶材料为基础研究了用边缘
. , ( ),
场驱动的面板残像 首先为了比较正性液晶与负性液晶 测量了离子密度及电压保持率 VHR 其次为了比较两种
( ) , ( )
配向材料 PI与液晶材料的搭配特性并选择合适的组合 量测了样品的直流残留 RDC 电压和Vcom 电压随时间的变
. , ( ) , ,
化 从量测结果可知 紫外 光照前负性液晶离子密度是正性液晶的 倍 经过紫外光照 后负性液晶的离子密
UV ３９
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度为 ５６０Pccm 且其紫外光照后电压保持率变化量为 ２．７％ 使用负性液晶搭配 PI１的样品 AＧ１的直流残留电压和
( ) , ,
等效为交流驱动电压的中心值 随时间变化量都是最大的 分别为 和 负性液晶搭配 材料的面
Vcom ０．５V ２５０mV PI２
, .
板和正性液晶的面板的直流残留电压均小于 其 随时间变化量均在 以内 负性液晶材料的离子浓
０．２V Vcom ５０mV
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度含量高 且其稳定性比正性液晶材料差 负性液晶
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