12011年项目指引说明 - 国家科技重大专项.docVIP

附件1 2011年项目指南说明 集成电路关键制造装备产品 项目任务：32-22nm栅刻蚀机产品研发及产业化 项目编号：2011ZX02101 项目类别：产品开发与产业化 项目目标：研究开发面向32-22nm极大规模集成电路生产线的栅刻蚀设备，突破高温E-Chuck等关键技术，研究相关高k介质和金属栅的刻蚀工艺，取得核心自主知识产权，满足32-22nm主流集成电路栅刻蚀工艺要求，性能指标达到同类产品国际先进水平，并通过集成电路大生产线的考核与用户认证，具备产业化能力及市场竞争力。2013年首台设备产品进入大生产线考核，2014年通过考核，并实现3台以上的销售。 组织实施方式：公开招标，择优支持，系统组织 项目承担单位要求：主承担单位要求是独立法人的企业或企业性质的研究所，组织产学研用联盟联合承担项目。研发团队应有稳定的队伍并有国际前沿技术研发能力，需要具备知识创新能力，具备产业化能力和经验。 执行期限：2011－2014年 资金集成要求：国拨：地方：企业＝1 : 1：1 项目任务：45-22nm超低能注入设备产品研发及产业化 项目编号：2011ZX02102 项目类别：集成电路关键制造装备产品 项目目标：研究开发面向45-22nm集成电路工艺要求的超低能大束流离子注入机，研究超浅结注入工艺，取得核心自主知识产权。性能指标达到同类产品国际先进水平，完成相关工艺开发，并通过集成电路大生产线的考核与用户认证，具备产业化能力及市场竞争力。2012年首台设备产品进入大生产线考核，2013年通过考核，2014年实现2台以上的销售。 组织实施方式：公开招标，择优支持，系统组织 项目承担单位要求：主承担单位要求是独立法人的企业或企业性质的研究所，组织产学研用联盟联合承担项目。研发团队应有稳定的队伍并有国际前沿技术研发能力，需要具备知识创新能力，具备产业化能力和经验。 执行期限：2011－2014年 资金集成要求：国拨：地方：企业＝1 : 1：1 项目任务：45-22nm互连镀铜设备研发与产业化 项目编号：2011ZX02103 项目类别：产品开发与产业化 项目目标：研究开发面向45-22nm集成电路工艺的镀铜设备，研究相关镀铜工艺，取得核心自主知识产权，满足45-22nm主流集成电路工艺的相关参数要求，性能指标达到国际同类产品的先进水平，2012年设备进入大生产线考核，2013年完成考核，实现10-20台的销售。 组织实施方式：公开招标，择优支持，系统组织 项目承担单位要求：主承担单位要求是独立法人的企业或企业性质的研究所，组织产学研用联盟联合承担项目。研发团队应有稳定的队伍并有国际前沿技术研发能力，需要具备知识创新能力，具备产业化能力和经验。 执行期限：2011－2014年 资金集成要求：国拨：地方：企业＝1 : 1：1 项目任务：高性能外延炉设备研发与产业化 项目编号：2011ZX02104 项目类别：产品开发与产业化 项目目标：研究开发减压和常压外延设备产品并实现产业化，研究开发面向45-32nm应变硅工艺的超高真空化学气相淀积选择性外延设备。取得核心自主知识产权，性能指标达到国际同类产品的先进水平，2013年进入大生产线考核,2014年完成考核并实现销售。 组织实施方式：公开招标，择优支持，系统组织 项目承担单位要求：主承担单位要求是独立法人的企业或企业性质的研究所，组织产学研用联盟联合承担项目。研发团队应有稳定的队伍并有国际前沿技术研发能力，需要具备知识创新能力，具备产业化能力和经验。 执行期限：2011－2014年 资金集成要求：国拨：地方：企业＝1 : 1：1 项目任务：45-32nm LPCVD设备产业化 项目编号：2011ZX02105 项目类别：产品开发与产业化 项目目标：研究开发面向45-32nm工艺的LPCVD设备，研究相关工艺，取得核心自主知识产权，性能指标达到国际同类产品的先进水平，2013年进入大生产线考核,2014年完成考核，实现销售5台以上销售。 组织实施方式：公开招标，择优支持，系统组织 项目承担单位要求：主承担单位要求是独立法人的企业或企业性质的研究所，组织产学研用联盟联合承担项目。研发团队应有稳定的队伍并有国际前沿技术研发能力，需要具备知识创新能力，具备产业化能力和经验。 执行期限：2011－2014年 资金集成要求：国拨：地方：企业＝1 : 1：1 项目任务：300mm硅片前道光刻匀胶显影设备研发与产业化 项目编号：2011ZX02106 项目类别：产品开发与产业化 项目目标：研制完成300mm硅片前道光刻匀胶显影设备，自主研发关键零部件、开发相关工艺，取得自主知识产权，满足65－45纳米主流工艺的相关参数要求，性能指标达到同类产品国际先进水平，2012年进入生产线考核及用户认证，2013年完成