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磁绝缘传输线振荡器中的次级电子倍增现象! - 物理学报
第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报
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磁绝缘传输线振荡器中的次级电子倍增现象!
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郝建红 丁 武 董志伟
!）（华北电力大学信息工程系，北京 !###!）
）（北京应用物理与计算数学研究所，北京 !###$$）
（ 年 月 日收到； 年 月 日收到修改稿）
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根据磁绝缘传输线振荡器（ ）的结构特点，建立了一个单边次级电子倍增（ ）模型，通过对敏感曲
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线、相位聚焦的计算，分析了 中发生 的物理图象 结果表明：从聚焦区域大小看，单边发生
()*+ ,-./0123/45 6 ,-./01237
比双边要严重 在 中发生的 都属于单边模式，并且有出现电子掠入射金属表面的大量机会，因
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此它发生 比 型器件严重
,-./0123/45 + 6
关键词：磁绝缘传输线振荡器，次级电子倍增效应，脉冲缩短
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传输GIJ 的静磁场提供的力迫使它返回，经过一个
!; 引 言 GH 周期又打击这个金属表面产生 ,-./0123/45 的模
式 在真实的微波器件里，存在着很多局部构型有利
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实验发现，高功率微波源在功率超过 于单边模式的发生 为研究磁绝缘传输线振荡器
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时，将出现脉冲缩短现象，其后果是提高功率不能提 （ ）发生次级电子倍增效应，本文根据其结构特
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高能量 一个 级的高功率微波源，单个脉冲保持 点建立一个描述
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