推荐国家技术发明奖项目公示项目名称紫外探测与应用技术推荐单位 .PDF

推荐国家技术发明奖项目公示 项目名称 紫外探测与应用技术 推荐单位 教育部 推荐单位意见： 我单位认真审阅了该项目推荐书及附件材料，确认全部材料真实有效，相关栏目 均符合国家科学技术奖励工作办公室的填写要求。 该项目针对国家在紫外探测及应用技术方面的重大战略需求，立足于氮化物半导 体材料和紫外探测与成像器件的研发，重点解决了日盲紫外探测器增益小、量子效率 低、带外噪音高等关键难题，发展了一系列具有国际领先水平的器件和高精度定位成 像技术。所发明的日盲雪崩光电探测器近年来引领了氮化物半导体日盲紫外探测技术 的发展；AlGaN 紫外光电阴极探测器相比传统器件探测效率提高近 3 倍；所发明的日 全盲级单光子灵敏度的紫外成像技术填补了国内日盲紫外成像技术空白，并突破了产 业化关键技术，成功用于电网安全监测预警。发明了分米级高精度紫外定位导航技术， 应用该技术在国际上首次发展了穿雾港口靠泊导航系统，并可拓展到需要全天候全天 时精确导航的多种领域。基于紫外探测器发明了环境污染监测技术，并在多个化工业 园区得到应用。发明成果形成直接经济效益三年累计7318.72 万元，间接销售三年累计 超过 5 亿元；成果的应用推广为国家安全、环境监测提供了更为有力的技术手段，产 生了显著的社会效益。同时，在紫外探测器领域发表了系列高水平论文，产生了重要 的国际学术影响力。 对照国家技术发明奖授奖条件，推荐该项目申报 2016 年度国家技术发明一等奖。 项目简介： 紫外探测与成像是关系到国家安全和国民经济发展的核心战略性技术，世界各国 均竞相发展，属于欧美等国家对我国的技术封锁重点。 III 族氮化物半导体是近年来国内外重点研究和发展的新型半导体材料，其中 Al Ga N 材料具有 200～365 nm 波长范围内可剪裁的光电探测窗口，是发展新一代高 x 1-x 性能紫外探测器优选材料。正因如此，基于氮化物半导体的高灵敏紫外探测器件已成 为世界各国研究和竞争的焦点，同时也为我国突破紫外探测与成像核心技术，实现自 主创新提供了好的机遇。成果完成单位在国家自然科学基金（重大、重点、面上）、863、 973 等计划支持下自 1998 年以来一直致力于 III 族氮化物紫外探测与成像技术的研发， 形成了以下核心发明成果。 发明点 1：极化增强和共振增强型紫外光电探测器 利用Ⅲ族氮化物半导体特有的强极化效应以及能带工程，发明了一系列极化增强 的高灵敏紫外光电探测器件，近年来引领了氮化物半导体日盲紫外探测技术的发展， 5 量级；基于 AlGaN 异质结界面控制技术， 典型的日盲雪崩光电探测器增益已突破 10 发明了具有高度波长选择和响应增强的Ⅲ族氮化物分布布喇格反馈共振增强结构，实 现不同的峰值反射波长，大幅度提升了波长选择能力，同时在特定波长范围实现光响 应增强。 发明点 2 ：AlGaN 材料制备与光电阴极成像探测器技术 发明了一系列如缓冲层工艺、寄生反应抑制、缺陷及界面控制和高温调制掺杂生长等 材料制备技术，实现了高质量高 Al 组分 AlGaN 材料的制备，得到了高空穴浓度和低 缺陷密度的 p-AlGaN 材料，并由此发明了一种基于 AlGaN 材料的日盲紫外光电阴极成 像探测器件，与常规光电阴极器件相比其探测效率提高了近 4 倍，同时提出了器件中 电子信号倍增部件表面防反馈膜制作技术，有效提高了探测器组件的使用寿命，突破 了紫外成像探测器件产业化关键技术。 发明点 3 ：水质原位实时在线紫外光电传感技术 发明了一种可用于水质特征有机污染物识别和 COD/TOC 总量监测的分布式紫外光电 传感系统，提出特征污染物识别的非对称函数算法，开发了特征污染物识别和 COD/TOC 总量监测软件，实现了对水质网络分布式多点实时在线监测与预警，并已在 多个工业园区推广应用，减轻了园区人工水样采集、运输、预处理等工作量，显著降 低了人力成本，提升了园区环境安全预警能力。 发明点 4 ：日盲紫外定位成像技术 提出日盲紫外灵敏度量化理论，通过系统设计解决了日盲紫外波段带外噪声高的 难题，实现了日全盲级单光子灵敏度的紫外成像。在此基础上，研发出全天候电晕定 位监测与电网安全预警系统，性能达到国际领先水平。利用紫外谱段零环境噪声的优 势，发明了基于日盲紫外成像技术进行定位和导航的方法，攻克了分米级高精度