同步动态随机存储器SDRAM.PDF

For 同步动态随机存储器 SDRAM Synchronous Dynamic Random Access Memory 特点： 1． 遵从 PC66-, PC100-, 与 PC133- 2． 完全的同步，所有的信号都在系统时钟的上升沿改变。 3． 内部流水线运行，列地址能够在每个时钟周期被改变 4． 内部的隐藏行栈存取/预充电 5． 可编程的分段长度：1，2，4，8 或所有页 6． 自动预充电，包括同时自动预充电和自动刷新模式 7． 自我刷新模式：标准和低电压 8． 64ms，4096 刷新周期 9． LVTTL 兼容输入输出 10．单电源+3.3V 允许 0.3 电压误差 特征 配置 16 Meg x 4 (4 Meg x 4 x 4 banks) 8 Meg x 8 (2 Meg x 8 x 4 banks) 4 Meg x 16 (1 Meg x 16 x 4 banks) 写校正 WR=2CLK A2 封装 54 脚 TSOP 11（400mil） TG 54JTSOP II （400mil）Lead-free P 时序（时钟周期） 10ns@CL = 2 (PC100) -8E 7.5ns@CL = 3 (PC133) -75 7.5ns@CL = 2 (PC133) -7E 6ns@CL = 3 (PC133, x16 Only) -6 自我刷新 标准 None 低电压 L 运行温度范围 商业 0 +70 工业 -40 +85 引脚图 1 For 特征表 元件名称 MT48LC16M4A2TG MT48LC8M8A2TG MT48LC4M16A2TG 结构 16 Meg x 4 8 Meg x 8 4 Meg x 16 配置 4 Meg x 4 x 4 块 2 Meg x 8 x 4 块 1 Meg x 16 x 4 块 更新计数 4K 4K 4K 行地址 4K(A0-A11) 4K(A0-A11) 4K(A0-A11) 块地址 4(BA0,BA1) 4(BA0,BA1) 4(BA0,BA1) 列地址 1K(A0-A9) 512(A0-A8) 256(A0-A7) 基本描述 美光 64MbSDRAM 是一个高速 CMOS 动态随机存储器,包含 67,108864 位,用一个同步接口 它的内部配置成 4 块 DRAM (所有信号在始终的上升沿变化). x16 这种的每一块包含 1,777,216 位,它由 4096 行,256 列和 16 位组成. 对 SDRAM 的读写操作是分段方向,在一个编程序列中从一个选择的位置开始存取,随后 是一个确定好的位置的数字.操作随着一个 ACTIVE 命令读取开始,后面跟随一个读或写命令. 地址位随着 ACTIVE 命令同时被读取来选择相应的块和行(BA1,BA1 用来选择块,A0-A11 用来 选择行),地址位同时也随着读或写命令被读取来选择操作开始的列位置. 对应脉冲数据终止选择,SDRAM 提供可编程的读或写脉冲数据的长度,如 1,2,3或 8 或所 有页.在脉冲序列结束处,自动预充电功能可以被用来提供一个 selftimed 的行预充电. 64Mb 的SDRAM 使用一个内部流水线结构以获得高速的操作性能.这中结构与预取结构的 2n 规格相兼容,它也允许列地址在每个时钟周期都能被改变来获得高速随机运行.当其它三 块中的一个在操作时, 预充电另一块可以减少预充