固体磁性MAGNETISM IN SOLIDS.PDF

磁性物理 10 畴壁和磁畴结构 6-2 畴壁 T TC , 大块磁体中自发磁化的分布形成磁畴结构。 畴壁 相邻磁畴间为若干原子厚的过渡层。 退磁状态下: 磁畴的分布使整个强磁体的总磁矩和 平均磁化强度为零，除了磁体尺寸小于临界尺寸。 磁场: 磁畴调整→技术磁化→在外磁场足够高时， 整个磁体饱和磁化在外磁场方向上→单畴结构。 磁体尺寸小于临界尺寸时，磁体自发磁化在一个方 向上－－单畴结构 6-2-1、多畴结构的成因 在铁磁体中，交换作用使晶体自发磁化，磁化强度 的方向沿着晶体内的易磁化轴，这样就使铁磁晶体内 交换作用能和磁晶各向异性能都达到极小值。但因晶 体有一定的大小与形状，整个晶体均匀磁化的结果， 必然产生磁极，磁极的退磁场增加了退磁能 (1/2)NMS2。 为了减小系统的总能量，退磁场能和交换能、各向 异性能竞争，交换能和各向异性能要求磁矩平行易 轴，退磁能要求磁矩形成闭合回路。 正是由于退磁场的存在，才有产生多畴结构的可能 性。否则为单畴结构。 1、退磁场是形成多畴结构的基本驱动力 如: Co 单晶球, H 5 M ~ 500 Oe, EM ~ 4×10 V. 对n 片反平 行条状磁畴，EM ↓1/n, 但是畴壁能↑, 交换能↑, 磁各向异性能↑. N N S S S N S N N N N N → → ← → ← ← → ← S S S S S S N N N S N S ( a ) ( b ) ( c ) ( d ) ( e ) 只有当分成多畴后畴壁能的增加，可以被退磁嫩的 降低所补偿时，多畴结构才会出现。否则晶体可以 单畴状态存在。 可能保持单畴的几种特殊情况 扁平椭球－延长轴方向 退磁场→0 闭合回路－沿回路方向 没有磁极产生，退磁场→0 单畴颗粒－当颗粒尺寸 小于某个临界尺寸使，产 生的多畴的畴壁能高于单 畴时的退磁场能。 退磁场能降低不足以抵消发生多畴结构时产生的畴 壁能，磁体宁愿以单畴的状态存在。 2、不均匀的内应力分布也是产生多畴的原因 反铁磁的净磁化 强度为零，无退磁 场！不均匀内应力 可以导致反铁磁中 出现多畴结构。 当晶体中各处的E 随σ而改变其大小时甚至符号， σ 易磁化方向随之而变化，在σ改变符号处常常出现两 侧磁畴的自发磁化方向互成90 °的畴壁。 如果λ0，正的张应力导致磁化在应力方向，负的 压应力导致磁化在垂直于应力的方向。但应力不会导 致磁化。 3. 磁畴结构理论 磁畴理论和微磁学理论 基本原理：自由能极小！ δ E dv 0 ∫∑ i i E 包括 E 、E 、E 、E 、E i ex K σ H M 传统的磁畴理论中：自发磁化的分布是半经验 的，先跟据理论分析和实验提出模型，然后根据上 式的原理计算，从而获得定量的结果。 微磁学理论：根据上式用变分的方法严格解出铁 磁体中自发磁化的分布。 6-2-2、畴壁 畴壁是在多畴结构中的一种磁畴间的过渡区域。在这 个过渡区域中自旋逐渐地改变方向以降低E . ex 自旋方向的突然变化不是能量遵循原则!