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半导体中的电子状态 1半导体的三种结构：金刚石型（硅和锗）闪锌矿型（Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料以及部分Ⅱ-Ⅵ族化合物如GaAs, InP, AlAs ，纤矿型（Ⅱ-Ⅵ族二元化合物半导体ZnS、ZnSe、CdS、CdSe）. 结晶学原胞是立方对称的晶胞。 2电子共有化运动：当原子相互接近形成晶体时，不同原子的内外各电子壳层出现交叠，电子可由一个原子转移到相邻的原子，因此，电子可以在整个晶体中运动，称为电子的共有化运动。 由于内外壳层交叠程度很不相同，所以，只有最外层电子的共有化运动才显著。 3有效质量：将晶体中电子的加速度与外加的作用力联系起来，并且包含了晶体中的内力作用效果。 有效质量的物理意义：把晶体周期性势场的作用概括到电子的有效质量中去，使得在引入有效质量之后，就可把运动复杂的晶体电子看作为简单的自由电子。 有效质量的正负与位置有关。大小由共有化运动的强弱有关。 引入有效质量的用处：使讨论晶体电子运动时，问题变得很简单，否则几乎不可能。 4回旋共振就是当半导体中的载流子在一定的恒定磁场和高频电场同时作用下会发生抗磁共振的现象。该方法可直接测量出半导体中载流子的有效质量，并从而可求得能带极值附近的能带结构。（母的） 要样品纯度更高，在低温 。 5直接带隙半导体材料：导带最小值(导带底)和满带最大值相应于相同的波矢k0 间接带隙半导体材料：导带最小值(导带底)和满带最大值在k空间中不同位置 . 硅、锗与砷化镓的区别：硅锗为间接带隙半导体；砷化镓是直接带隙半导体。 砷化镓的禁带宽度大，E。-1.43eV，宽于硅，更宽于锗，因此砷化镓半导体器件能在远高于硅半导体器件工作温度、更高于锗半导体器件工作温度的450℃下正常工作；其pn结的反向电压高，反向饱和电流低，适用于制作大功率半导体器件；能够引入深能级的杂质，制成体电阻率比锗和硅高出三个数量级以上的集成电路衬底。其次砷化镓的电子迁移率高、电子有效质量小、光电转换效率高。 6能带结构：固体的能带结构（又称电子能带结构）描述了禁止或允许电子所带有的能量，这是周期性晶格中的量子动力学电子波衍射引起的。 自由电子浓度远大于空穴浓度的杂质半导体。 1状态密度 ：在能量E附近每单位能量间隔内的量子态数。 费米能级EF由温度及施主杂质浓度所决定。 2费米能级的物理意义：费米能级标志了电子填充能级的水平. 3记忆费米分布函数？？【计算题？】，玻尔兹曼分布函数，前者重点 在热力学温度零度时，费米能级EF可看成量子态是否被电子占据的一个界限。 系统热力学温度 0时，如量子态的能量比费米能级低，则该量子态被电子占据的概率50%；量子态的能量比费米能级高，则该量子态被电子占据的概率50%。量子态的能量等于费米能级时，则该量子态被电子占据的概率是50% 4服从玻耳兹曼统计律的电子系统-----非简并性系统；服从费米统计律的电子系统-----------简并性系统。 5发生载流子简并化的半导体称为简并半导体，必须考虑泡利不相容原理!!! 6考虑泡利不相容原理与否（载流子浓度大 要考虑 用费米分布函数） 7. N型半导体的载流子浓度：低温弱电离区（中间电离区 强电离区 过渡区 高温本征激发区） 温度很低，大部分施主杂质能级仍为电子占据，极少量施主杂质电离，极少量电子进入了导带，称之为弱电离。 导带中的电子全部由电离施主杂质所提供。显然低温弱电离区费米能级与温度、杂质浓度以及掺入何种杂质原子有关。 8决定杂质全电离的因素：1）杂质电离能2）杂质浓度3）温度 9高温本征激发区 继续升高温度，本征激发占主导， 1）杂质全部电离 2）本征激发产生的本征载流子数远多于杂质电离产生的载流子数，n0》ND，p0》ND这时电中性条件是n0= p0 ，与未掺杂的本征半导体情形一样，因此称为杂质半导体进入本征激发区。 10禁带宽度越宽、杂质浓度越高，达到本征激发起主要作用的温度也越高。 第四章 半导体的导电性 1电子迁移率：表示单位场强下电子的平均漂移速度，单位m2/V.s 迁移率和单位载流子的电荷量、载流子的平均自由时间和载流子有效质量有关。 电离杂质的散射（Ni越大，载流子遭受散射的机会越多T↑，载流子热运动的平均速度越大，不易散射） 晶格振动的散射 （Ｔ定，晶格中原子都各自在其平衡位置附近作微振动。波的叠加原理） 非平衡载流子 1非平衡状态：如果对半导体施加外界作用，破坏了热平衡的条件n0p0=ni2，就迫使它处于与热平衡状态相偏离的状态。这时比平衡状态多出来的载流子称为非平衡载流子，有时也称为过剩载流子。 2统一的费米能级是热平衡状态的标志。 3非平衡载流子的平均生存时间称为非平衡载流子的寿命。