国家能源应用技术研究及工程示范项目新型、高.PDF

附件4： 国家能源应用技术研究及工程示范项目 “新型、高效LED 照明关键技术和设备研发及应用示范” 申报指南 一、指南说明 依据《半导体照明节能产业发展意见》、《国务院关于加快培 育和发展战略性新兴产业的决定》和《新材料产业发展的“十二 五”规划思路》等文件精神，特设立“新型、高效LED 照明关键 技术和设备研发及应用示范”项目，开展新型图形化衬底材料技 术研究，外延片生产关键装备MOCVD 制备及外延技术研究，高端 芯片制造技术与装备开发，高效驱动电路和标准化模组研究，并 在家庭、小区及商业办公大楼等领域进行示范工程建设和试点应 用。通过以上研究和工程示范，建立技术标准、产品检测和质量 认证体系，推动应用示范方案，促进我国LED 半导体照明行业健 康可持续发展。 综合考虑本项目的特点，委托“深圳洲明科技股份有限公司” 作为项目牵头单位。符合申报条件的单位可申请本项目的课题， 对于具备两个以上优势单位的课题，通过专家论证确定课题的承 担单位。 二、指南内容 1、项目名称 新型、高效LED照明关键技术和设备研发及应用示范 2、项目总体目标 本项目总体目标是：开展大型MOCVD 装备、新型图形化衬底、 高端外延芯片及装备等关键技术国产化，驱动电路及标准化模组 研制和生产、系统集成与示范工程建设，打通制约LED 产业发展 的瓶颈，提高LED 产业国产化水平，减少对国外关键技术和设备 1 的依赖，降低产品成本，推进我国能源技术进步与低碳技术的广 泛应用，为我国节能减排做出有力贡献。 3、项目的课题设置 本项目下设四个课题： 课题 1: 大型 MOCVD 设备研发及产业化 研究内容： 瞄准量产MOCVD 成套设备开展核心技术的自主创新研发，攻 克MOCVD系统的关键技术问题，开发GaN基材料的单反应室MOCVD 装备或多反应室串联式MOCVD设备，开展外延材料验证研究，实 现工业化生产应用。 考核指标： （1）研制开发一次生长45片以上2英寸MOCVD的成套设备； （2）设备温度控制范围100～1200℃，温度稳定性＜±2℃； 压力控制范围100-760Torr连续可调，控制精度1Torr； （3）制备 GaN 外延材料，晶体质量 XRD 半峰宽优于 16 -3 260arcsec，背景载流子浓度小于 5×10 cm ，迁移率≥200 -2 cm /v.s；2英寸外延膜的厚度均匀性和重复性优于5%,蓝光波长 （460nm）2英寸片内标准偏差小于2nm，片间标准偏差≤5nm; P 17 -3 型参杂背景载流子浓度达到5×10 cm ； （4）申请发明专利2项以上。 国拨经费控制额：200万元。 课题 2: 新型图形化衬底材料研发及产业化 研究内容： 研发蓝宝石衬底的刻蚀技术，图形化蓝宝石衬底产业化技 术，开发纳米级图形化蓝宝石衬底制备技术；研发GaN 基衬底材 料，开发新型图形化衬底。 考核指标： 2 （1）开发出适合于 LED 外延工艺的图形化衬底，图形结构 周期≤3微米，片内图形高度、底径均匀性≤5%，间距均匀性≤ 10%；实现产业化，每月产能达到十万片以上； （2）开发出纳米级图形化蓝宝石衬底； （3）开发出图形化 GaN 基衬底材料，图形周期≤5 微米， 图形深度≥1.5微米； （4）申请发明专利3项以上。 国拨经费控制额：500万元。 课题3: 基于垂直结构的高亮度大功率LED芯片研发及产业 化 研究内容： 采用自然粗化、表面粗化、反射层、图形化等技术优化外延 制程；采用激光剥离、共晶键合、全方位反射器等技术制备垂直 结构芯片；研究提高芯片