si 基铁电bi 多层薄膜的一致取向生长和性能的研究! - 物理学报.pdfVIP

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si 基铁电bi 多层薄膜的一致取向生长和性能的研究! - 物理学报

第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报 (( % A % , , , XTG ;(( 7T ; % ?FPMK A ( ) !@%)0A0(( % 0 !$’@’ D.:D *W2-B.D -B7B.D A .K4N ; *KHY ; -TM ; ! 基铁电# () , - 多层薄膜的 $ % ’ * %+’ $ . 一致取向生长和性能的研究! ) )) ) ) )) ! ! # ! ! ! 李少珍 李美亚 徐文广 魏建华 赵兴中 !)(武汉大学物理科学与技术学院,武汉 $%’ ) )(武汉大学纳米科学与技术研究中心,武汉 $%’ ) ( 年 月 日收到; 年 月 日收到修改稿) ( ’ % ( ) !! 采用脉冲激光沉积( )技术,利用 多异质缓冲层,在 ( )基片上成功地制备了 轴一致取 *+, +-./0 .1/ 02-3 -4 ! ! 向的 ( )铁电薄膜 利用 射线衍射( )和扫描电镜( )分析测定了薄膜的相结构、取向和 54 78 :4 / 57: ; =, -? % 6 !( 69( % ! 形貌特征,考察了沉积温度和氧分压对 薄膜微结构、取向和形貌的影响,确定了 薄膜的最佳沉积条件 对 57: 57: ; 在优化的条件下制备得到的57: 薄膜的 @ # 曲线测试得到了典型的蝴蝶形曲线,表明该薄膜具有较好的电极化反 转存储特性; 最后讨论了57: 薄膜铁电性能与薄膜取向的相关性; 关键词: ,铁电薄膜,多层异质结,脉冲激光沉积 54 78 :4 / % 6 !( 69( % ! : , , , /011 ’’9 A9(( 9!!(B A!(C

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