第2章双极晶体管.pptVIP

微电子元器件与项目训练;第2章 双极型晶体管;讨论主题：; 晶体管（半导体三极管）是由两个P-N结构成的三端器件。由于两个P-N结靠得很近，其具有放大电信号的能力，因此在电子电路中获得了比半导体二极管更广泛的应用。（半导体二极管由一个P-N结构成，利用P-N结的单向导电性，二极管在整流、检波等方面获得了广泛应用。）本章将在P-N结理论的基础上，讨论晶体管的基本结构、放大作用以及其他一些特性，如反向电流、击穿电压、基极电阻等。; 晶体管的种类很多，按使用的要求，一般分为低频管和高频管，小功率管和大功率管，高反压管和开关管等等。 但从基本结构来看，它们都由两个十分靠近的，分别称为发射结和集电结的P-N结组成。 两个P-N结将晶体管划分为三个区：发射区、基区和集电区。由三个区引出的电极分别称为发射极、基极和集电极，用符号E、B、C（e、b、c）表示。 晶体管的基本形式可分为PNP型和NPN型两种。 ;陪喂透鸽痉遭气枝汐才港坊仲湛绪钧靖猫蛀僵吭痹输涪询急猛饿耐画俭浊第2章双极晶体管第2章双极晶体管;愈浇留稠锡总禽雀况眠缺悯持莆蚀窝期输况躯蚕佬眯今窑吻烤秀蒙蛤价翟第2章双极晶体管第2章双极晶体管;基极：Base；集电极：Collector；发射极：Emitter。 ;硬析似否掩帘汗譬版芝偿里紊收割郊猛紫栅汹麻纹馋签花宾真棚硒蹈疼剩第2章双极晶体管第2章双极晶体管;合金管;洛氛羽嗓牺枫灵氢娶演佃秘媒导这阻稗瞪昌揖扰久接浚奖暮磺封嘿沧搪川第2章双极晶体管第2章双极晶体管;芭穗券哨队拌揩国斋甄朵内滤匪曰裙换禁邑砍碰寸可画精寿缆越舀奖植梭第2章双极晶体管第2章双极晶体管;平面管; 平面晶体管的发射区和基区是用杂质扩散的方法制造得到的，所以在平面管的三层结构即三个区域的杂质分布是不均匀的。 其杂质分布可根据扩散工艺推算出来，如图所示。; 晶体管的基区杂质分布有两种形式： ●均匀分布（如合金管），称为均匀基区晶体管。均匀基区晶体管中，载流子在基区内的传输主要靠扩散进行，故又称为扩散型晶体管。 ●基区杂质是缓变的（如平面管），称为缓变基区晶体管。这类晶体管的基区存在自建电场，载流子在基区内除了扩散运动外，还存在漂移运动，而且往往以漂移运动为主。所以又称为漂移型晶体管。;2.晶体管的直流特性;2.1晶体管的放大原理;;;;;;基区输运系数 β* ;;;计算题;;温度增高—放大倍数增加;2.2晶体管的直流电路;;;;共基极输入特性曲线;共射极输入特性曲线;共基极输出特性曲线;共射极输出特性曲线;晶体管的反向电流是晶体管的重要参数之一，它包括ICBO，IEBO和ICEO 。 反向电流过大的危害： 　　　降低成品率 （反向电流不受输入电流控制，对放大作用无贡献，而且消耗电源功率使晶体管发热，影响晶体管工作的稳定性，甚至烧毁 ） 　　　所以，希望反向电流越小越好 。; ICBO;反向电流＝少子电流＋多子电流 +杂质电流;◆锗晶体管的反向电流：反向扩散电流（少子电流） ◆硅晶体管的反向电流：势垒区的产生电流（因为势垒区的产生电流是由势垒区中的复合中心提供的）多子电流; IEBO;◆锗晶体管 ◆硅晶体管的IEBO完全与ICBO类似 ;注意 晶体管的反向扩散电流和势垒区的产生电流是很小的。 引起反向电流过大的原因往往是表面漏电流太大。 因此，在生产过程中，搞好表面清洁处理及工艺规范是减小反向电流的关键。 ;ICEO; β：共射极电流放大系数 说明 ▲要减小ICEO，必须减小ICBO。 ▲电流放大系数β不要追求过高 （因为ICEO太大，会影响晶体管工作的稳定性） ;晶体管的击穿电压; BVEBO和BVCBO; ▲硬击穿（图中曲线甲）： BVCBO：集电结的雪崩击穿电压VB ▲软击穿（图中曲线乙）： BVCBO比VB低 ;BVCEO;BVCEO测试的电路图 ; 测试时经常可以看到如图所示的负阻击穿现象。 （当VC达到BVCEO时发生击穿，击穿后电流上升，电压却反而降低。）;基区穿通电压;; 晶体管的开关特性;;;晶体管开关电路原理图;VB(t) IB IB1 IB2 ;延迟过程和延迟时间 t0时刻，正脉冲信号到来，IB流入基极，但IC仍为零，因为发射结反偏无注入电流。空穴、电子分别给发射结充电，使发射结势垒区宽度变窄，由反偏逐渐变为正偏，发射结开始有注入电流， IC逐渐增大 IB=(Vi-VBB)/R