第五章磁性型.pptVIP

第5章 磁电式传感器; 1．霍尔效应 长为L、宽为b、厚为d的导体（或半导体）薄片，被置于磁感应强度为B的磁场中（平面与磁场垂直），在与磁场方向正交的两边通以控制电流 I，则在导体另外两边将产生一个大小与控制电流 I 和磁感应强度 B 乘积成正比的电势UH，且UH＝KHIB，其中KH为霍尔元件的灵敏度。这一现象称为霍尔效应，该电势称为霍尔电势，导体薄片就是霍尔元件。;电荷的聚积必将产生静电场，即为霍尔电场，该静电场对电子的作用力为FE与洛仑兹力方向相反，将阻止电子继续偏转，其大小为;令 则; 二、霍尔元件的主要技术参数 1．额定功耗P0 霍尔元件在环境温度T＝25℃时，允许通过霍尔元件的控制电流 I 和工作电压 V 的乘积即为额定功耗。一般可分为最小、典型、最大三档，单位为mw。当供给霍尔元件的电压确定后，根据额定功耗可以知道额定控制电流 I 。有些产品提供额定控制电流和电压，不给出额定功耗。 2．输入电阻Ri和输出电阻R0 Ri是指流过控制电流的电极（简称控制电极）间的电阻值，R0是指霍尔元件的霍尔电势输出电极（简称霍尔电极）间的电阻，单位为Ω。可以在无磁场即B＝0时，用欧姆表等测量。 3．不平衡电势U0 在额定控制电流 I 之下，不加磁场时，霍尔电极间的空载霍尔电势称为不平衡(不等)电势，单位为mV。不平衡电势和额定控制电流 I 之比为不平衡电阻r0。 4．霍尔电势温度系数α 在一定的磁感应强度和控制电流下，温度变化1℃时，霍尔电势变化的百分率称为霍尔电势温度系数α，单位为1／℃。; 5．内阻温度系数β 霍尔元件在无磁场及工作温度范围内，温度每变化1℃时，输入电阻只Ri与输出电阻R0变化的百分率称为内阻温度系数β，单位为1／℃。一般取不同温度时的平均值。 6．灵敏度KH 其定义向前述。有时某些产品给出无负载时灵敏度（在某一控制电流和一定强度磁场中、霍尔电极间开路时元件的灵敏度）。;三、霍尔元件连接方式和输出电路 1．基本测量电路 控制电流I由电源E供给，电位器W调节控制电流I的大小。霍尔元件输出接负载电阻RL，RL可以是放大器的输入电阻或测量仪表的内阻。由于霍尔元件必须在磁场与控制电流作用下，才会产生霍尔电势UH，所以在测量中，可以把 I 与 B 的乘积、或者 I，或者 B 作为输入情号，则霍尔元件的输出电势分别正比于 IB 或 I 或 B。 ; 3．霍尔电势的输出电路 霍尔器件是一种四端器件，本身不带放大器。霍尔电势一般在毫伏量;四、霍尔元件的测量误差和补偿方法 霍尔元件在实际应用时，存在多种因素影响其测量精度，造成测量误差的主要因素有两类：一类是半导体固有特性；另一类为半导体制造工艺的缺陷。其表现为零位误差和温度引起的误差。 1．零位误差及补偿方法 零位误差是霍尔元件在加控制电流而不加外磁场时，而出现的霍尔电势称为零位误差。不平衡电势U0是主要的零位误差。因为在工艺上难以保证霍尔元件两侧的电极焊接在同一等电位面上。如下图(a)所示。当控制电流I流过时，即使末加外磁场，A、B两电极此时仍存在电位差，此电位差被称为不等位电势（不平衡电势）U0。; 下图给出几种常用的补偿方法。为了消除不等位电势，可在阻值较大的桥臂上并联电阻，如下图(a)所示，或在两个桥臂上同时并联如下图(b)、(c)所示的电阻。; 2．温度误差及其补偿 由于载流子浓度等随温度变化而变化，因此会导致霍尔元件的内阻、霍尔电势等也随温度变化而变化。这种变化程度随不同半导体材料有所不同。而且温度高到一定程度，产生的变化相当大。温度误差是霍尔元件测量中不可忽视的误差。针对温度变化导致内阻(输入、输出电阻)的变化，可以采用对输入或输出电路的电阻进行补偿。 (1)利用输出回路并联电阻进行补偿 在输入控制电流恒定的情况下，如果输出电阻随温度增加而增大，霍尔电势增加；若在输出端并联一个补偿电阻RL，则通过霍尔元件输出电阻输出电阻（内阻）R0的电流增大，内阻压降亦增大增大，输出电压将会减小。只要适当选据补偿电阻RL，就可达到补偿的目的。; 在温度影响下，元件的输出电阻从Rt0变到Rt，输出电阻Rt和电势UHt应为 Rt＝Rt0 (1+βt) ； UHt＝UHt0 (1+αt) 式中β、α为霍尔元件的输出电势UHt和输出电阻Rt