h2流量对直流磁控溅射低温沉积zno∶al薄膜结构与性能的影响 effects of h2 flux on the structure and properties of zno∶al thin films deposited by dc magnetron sputtering at low temperature.pdfVIP

第34卷第1期 太阳能学报 V01．34，No．1 2013年1月 ACTAENERGIAESOLARISSINICA Jan．，2013 文章编号：0254-0096(2013)01-0028-06 H2流量对直流磁控溅射低温沉积ZnO．Al 薄膜结构与性能的影响 赵联波，赖延清，刘芳洋，张 坤，邹 忠，李 勘，刘业翔 (中南大学冶金科学与工程学院，长沙410083) 摘 要：在舡和H：的混合气氛下采用直流磁控溅射在玻璃衬底上低温沉积灿掺杂ZnO，即ZnO：A1透明导电薄膜， 均为高度c轴取向的六角纤锌矿结构，溅射过程中通人适量的H：能改善ZnO：A1薄膜的结晶质量和表面形貌；所 有薄膜在400～900nm范围内的平均透过率均高于85％；随着H：流量的增大，薄膜的载流子浓度升高，电阻率减 小，达到10“n·cm数量级。 关键词：ZnO：AI薄膜；磁控溅射；H：流量；电阻率；透过率 中图分类号：0782 文献标识码：A 生内扩散，破坏电池的p-n结结构，导致电池的光电 0引言 性能恶化∞’刊；又如在柔性电路和柔性太阳电池 透明导电氧化物(TCO)薄膜因其优异的透光性和 中旧J，某些柔性基底材料(如PI)，忍受极限温度不 导电性而被广泛应用于平面显示…、节能视窗、太阳电 到400℃。另外，ZnO：A1薄膜的低温沉积也可有效 池透明电极口1等领域。作为TCO的一种，ZnO：Al薄膜 降低能耗以及设备与工艺的成本。因此实现ZnO：AI 的光电性能现已可与目前主流透明导电氧化物薄膜 透明导电薄膜材料的低温制备具有重要意义【9J。在 材料氧化铟锡(ITO)相媲美，并且ZnO：A1薄膜原料 保证光学和电学性能的前提下，要实现ZnO：AI薄膜 来源更为广泛，成本更为低廉，沉积温度相对更低， 的低温沉积，必须保证ZnO：A1薄膜较高的载流子浓 在还原性气氛中更加稳定，是迄今为止最有希望取 度，ZnO：A1薄膜的载流子主要来源于外来掺杂和薄 代ITO、成为占主导地位的透明导电薄膜材料。ZnO 膜的本征缺陷，而掺杂后的H原子作为ZnO：AI薄 ：A1薄膜的制备方法有很多，其中磁控溅射沉积由 膜中的施主能级，能有效提高薄膜中的载流子浓度。 于设备相对简单、可在低温条件下大面积沉积、溅射 LiuWF等¨刨研究了H：流量对射频磁控溅射制备 参数可控性好以及制备的薄膜性能优异，成为ZnO： ZnO：A1薄膜性能的影响，认为H：的掺人能夺取 灿薄膜沉积最常采用的技术。 ZnO：A1薄膜中的O，并能优化薄膜的质量和降低薄 前人的研究表明日。J，磁控溅射法沉积的高质 膜的电阻率。由于射频磁控溅射制备ZnO：A1薄膜 量ZnO：A1薄膜多是在较高的衬底温度下获得的，这 是因为较高的衬底温度有利于薄膜中氧原子的解 的沉积速率较慢，不适合工业化生产，故本文采用直 离，使得薄膜中氧空位增多，有利于载流子浓度的提 流磁控溅射制备ZnO：A1薄膜。 高，降低薄膜电阻