Zn2＋掺杂Mn：Fe：LiNbO3晶体的特性和非挥发性全息存储.pdfVIP

硅 酸 盐 学 报 VOl_36，NO．1l 第36卷第 11期 2008年 11月 J0URNAL0FTHECHINESECERAMICS0CIETY NOvember，2O08 Zn2+掺杂Mn：Fe：Li)O3晶体的特性和非挥发性全息存储 张雪飞，徐朝鹏，蒋翠霞，焦斌亮，马延涛，姜永奎 (燕山大学信息科学与工程学院光电子工程系，河北 秦皇岛 066o04) 摘 要：在铌酸锂LiNb03(LN)中掺入摩尔分数为0．1％MnO，质量分数为O．O3％Fe203和摩尔分数分别为 1％，3％和7％znO，用提拉法生长zn：Mn：Fe：LN 晶体。测试了晶体的红外光谱，发现 7％zn：Mn：Fe：LN 晶体 O}r吸收峰位置移到 3529cⅡr。用光斑畸变法测量晶体的抗光损伤能力。结果表明： 7％zn：Mn：Fe：LN晶体的抗光损伤能力比Mn：Fe：LN 晶体提高 1个数量级以上。探讨了zn：Mn：Fe：LN晶体 O 吸收峰移动和抗光致散射能力增强的机 理。以 He_Ne激光作记录光，高压汞灯紫外光作开关光 ，用双光子固定法测量了 zn：Mn：Fe：LN 晶体的二波耦合衍射效率 ，以 Mn：Fe：LN和 1％zn：Mn：Fe：LN晶体作为存储介质实现了非挥发性存储。 关键词： 掺锌、锰和铁铌酸锂晶体：抗光损伤；非挥发性全息存储；提拉法 中图分类号：O784 文献标识码：A 文章编号：045 5648(2o08)1】一160l—O5 CHARACTERISTICSAND NoN．VoLATILEHoLoGRAPHIC SToRAGE oF ZnIoNSDoPEDM n：Fe：LiNbo3CRYSTALS z ⅣGj f，删 a叩e ， ⅣGC “玫fⅡ 0B H胁 ， 4 n ，删 ⅣG 地 f (DepartmentofPhotoelectronicEngineering，CoIlegeofInf0舯 ationScienceandEngineering，Yanshrdn University，Qinhuangdao066004，Hebei，China) Abstract：Zn：Mn：Fe：LiNb03(Zn：Mn：Fe：LN)cr、，stalsdopedwith0．1％Mn0finmole)and0．O3％Fe，01(inmass1andwith1％ fin mole，thesamebelow)，3％ and7％ZnOweregro、vnbytheCzochralskimethod．Theinf盯eds口ectraofcrystalsweredetern1ined． Theresultsshow thatthe0H—absorptionpeakof7％Zn：Mn：Fe：LN crysta1isshi dto3529cIlr ．TheDhot0．d锄 ageresismnce abm ofZn：Mn：Fe：LNcrystalsweremeasuredbythefacu1ardistonionobsenrationmeth0d．TheDhoto—damageresistanceabilityof 7％ Zn：Mn：Fe：LN crystalisincreasedabOut1orderofmagnitudecOmparedtOthatOfMn：Fe：LN．ThemechanismsOfthe0H—ab— sOrptiOnpeakshi andenhancemem OfthephotO—damageresistanceabmtyofZn：Mn：Fe：LN crystalwereinvestigated．UsingH _Ne laSerbeamsastherec0rdingli tandanul仃aVioletbeam forahighvoltagemercurylampaSthegatinglight，thetwo—wavecoupling