第8章 半导体器件与特性.ppt

第8章 半导体器件及特性;本章要求;8.1 半导体基础知识;8.1.1 本征半导体; Si;本征半导体的导电机理;8.1.2杂质半导体;2 P 型半导体; 1. 在杂质半导体中多子的数量与 （a. 掺杂浓度、b.温度）有关。;8.1.3 PN结;2 PN结的单向导电性;PN 结变宽;8.2 晶体二极管 ;(a) 点接触型;阴极引线;8.2.2二极管的伏安特性;1.正向特性 :二极管加正向电压时，电压和电流的关系。 只有超过某一数值时，才有明显的正向电流。这一 电压称为开启电压。正向特性在小电流时，呈现出指数变化规律，电流较大以后近似按直线上升。 2.反向特性:二极管加反向电压, 反向电流数值很小, 且基本不变, 称反向饱和电流。硅管反向饱和电流为纳安数量级, 锗管为微安数量级。这时，二极管呈现很大的反向电阻，处于截止状态。 3. 反向击穿特性 当反向电压加到一定值时, 反向电流急剧增加, 产生反向击穿。普通二极管反向击穿电压一般在几十伏以上 (高反压管可达几千伏)。通常二极管工作时，不允许工作在反向击穿状态。;8.2.3 二极管主要参数;4. 最高工作频率f 5. 二极管的直流电阻RD 6. 二极管的交流电阻rd ;二极管的单向导电性;8.2.4 二极管的主要应用 利用二极管的单向导电特性，可实现整流、限幅及电平选择等多种应用电路。;（2）全波整流电路;2.二极管限幅电路;3.二极管电平选择电路;4.低压稳压电路;8.2.5稳压二极管? ;（4）动态电阻rZ： rZ愈小，曲线愈陡，稳压性能愈好。;光电二极管;ui 8V，二极管导通，可看作短路 uo = 8V ui 8V，二极管截止，可看作开路 uo = ui;8.3晶体管 ;基区：最薄， 掺杂浓度最低;8.3.2 放大状态下晶体管中载流子的传输过程 晶体管在工作时一定要加上适当的直流偏置电压。当晶体管处在发射结正偏、集电结反偏的状态下，才能够实现电流放大作用。 ;B;4.电流分配关系;8.3.3 晶体管伏安特性曲线;　发射极是输入回路、输出回路的公共端 ;1. 输入特性曲线;2. 输出特性曲线;IB=0;8.3.4 晶体管的主要参数;例：在UCE= 6 V时， 在 Q1 点IB=40?A, IC=1.5mA； 在 Q2 点IB=60 ?A, IC=2.3mA。;2.极间反向电流;3.击穿电压;4. 集电极最大允许电流 ICM;ICUCE=PCM;三极管电路的三种基本组态 ;晶体管参数与温度的关系;8.4 场效应晶体管 ;场效应晶体管具有输入电阻非常高，噪声低，受温度、辐射影响小，制造工艺简单，便于大规模集成等优点。 ;1.结型场效应晶体管的结构示意图及其表示符号如图所示。;两个PN结夹着一个N型沟道。三个电极： G：栅极 D：漏极 S：源极; 2. 结型场效应管的工作原理;（2）漏源电压对沟道的控制作用;8.4.2 结型场效应管的特性曲线 ;;2．输出特性曲线;1)可变电阻区;其荡岔胳啪疥赊翔禄缮烟舶黔镑疵欺闸篮侮巷邵劫氏跺甸盒遇霜甥洒屑吮第8章 半导体器件与特性第8章 半导体器件与特性;武役挂总渺洗低末只侠肠廷娇褥厄绷寨银捎觅腺皑赐直乱忠昧斥纂槛猿嫩第8章 半导体器件与特性第8章 半导体器件与特性;8.4.3 场效应晶体管的参数;2 交流参数;;作业P200 8-7，8-8，8-9，;本章小结 ;思考题