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小资料：器件工作温度 半导体材料制成的器件都有一定的极限工作温度，这个工作温度受本征激发温度所制约。 在本征载流子浓度没有超过杂质电离所提供的载流子浓度的温度范围，如果杂质全部电离，载流子浓度是一定的，器件就能稳定工作。 但是随着温度的升高，本征载流子浓度迅速地增加。当温度足够高时，本征激发占主要地位，器件将不能正常工作。因此，每一种半导体材料制成的器件都有一定的极限工作温度，超过这一温度后，器件就失效了。 * 小资料：器件工作温度 * 硅材料的主要应用 晶体二极管、三极管、变容二极管(利用p-n结电容效应)、混频二极管(利用肖特基势垒效应)、光电二极管(利用光电导和光伏效应)、雪崩光电二极管、雪崩渡越二极管(利用p-n结雪崩倍增效应) 核辐射探测器(利用本征激发或杂质电离)、半导体探测器(利用光电效应) 集成电路(利用整流效应、少子注入)、晶闸管(利用整流效应) 热敏电阻(利用热电效应)、光敏电阻(利用光电效应) 霍尔器件(利用霍尔效应) 太阳能电池(利用光生伏特效应) * 硅材料的发展现状与趋势 发展总趋势: 增大直拉硅单晶的直径、减小微缺陷密度、提高集成电路成品率、降低成本 发展现状： 直径为8英寸（20cm）Si单晶：实现大规模工业生产 直径为12英寸（30cm）硅片的集成电路（IC‘s）技术正处在由实验室向工业生产转变中 18英寸重达414公斤的硅单晶和18英寸的硅圆片已在实验室研制成功 直径27英寸硅单晶研制正在筹划中 * 具有灰色金属光泽的固体，硬而脆， 室温本征电阻率为50?cm 常温下化学性质稳定，升高温度时也易与氧、氯等物质发生化学反应, 不溶于盐酸或稀硫酸，但溶于热浓硫酸、浓硝酸、王水及HF+HNO3混合酸。与浓碱几乎不起作用，但很容易溶于H2O2十NaOH混合液。 锗 室温下电子迁移率为3800cm2／V·s 室温下本征载流子浓度为2.4×1013cm-3， 禁带宽度为0.66 eV 相应的器件工作温度上限约在100? C 为了得到纯净的本征半导体材料应达到九个“9”以上的纯度，杂质原子少于l0-9。锗经化学提纯只达到4-5个“9”，还需再进行区熔提纯，锗是最早应用区熔法提纯的半导体材料。 * 根据锗的性能也可以制作用硅制作的大部分半导体器件，但是出于硅具有许多优良的特性和丰富的资源，目前绝大多数半导体器件都是用硅制造的。 尽管如此，锗器件在一些领域还占有优势，例如高频小功率晶体管，特别对低压条件锗材料更有利，还有锗材料制作的红外探测器在红外检测、原子能分析、探矿分析等方面的应用都有重要地位。 锗的主要应用 * 砷化镓 闪锌矿结构，密度为5.307g／cm3，混合键（共价键和离子键），熔点较高为1238?C。 能带结构为直接跃迁型, 有较高的光电转换效率，是制作半导体激光器和发光二极管优先选用的材料，有负阻现象和转移电子效应，可用来制作耿氏二极管。 室温下禁带宽度为1.43eV，比Si、Ge宽得多，器件工作温度达到450?C，可用作高温、大功率器件。 室温下电子迁移率为 8000cm2／V·s，也比Si、Ge高，所以GaAs器件具有高频、高速特性。 GaAs的电子有效质量为0.07m0, 比Ge，Si小得多，其禁带中杂质电离能小，器件有良好的低温特性。 * 发展现状与趋势 目前，世界GaAs单晶的总年产量已超过200吨，其中以低位错密度的垂直梯度凝固法（VGF）和水平（HB）方法生长的2－3英寸的导电GaAs衬底材料为主。 目前4英寸的Si－GaAs已用于生产，美国莫托罗拉公司正在筹建6英寸的Si－GaAs集成电路生产线。 InP具有比GaAs更优越的高频性能，发展的速度更快，但研制直径3英寸以上大直径的InP单晶的关键技术尚未完全突破，价格居高不下。 GaAs和InP单晶的VGF生长技术发展很快，很有可能成为主流技术。 GaAs单晶的制备有两个需要解决的重要问题：GaAs的合成和砷蒸气压的控制 * 非晶半导体的研究始于1950年，先后在硫系玻璃、Ge、Si等元素非晶半导体方面取得进展，非晶半导体电子理论也有较深入的研究。 目前被研究最多的是以下两类非晶半导体： (1) 四面体结构非晶半导体，其中主要有a-Si, a-Ge, a-GaAs, a-GaP等。这类非晶半导体的特点是它们的最近邻原子配位数为4，即每个原子周围有4个最近邻原子。 (2) 硫系非晶半导体。这类非晶半导体中含有很大比例的硫系元素如S，Se，Te等，它们往往是以玻璃态形式出现。 非晶半导体 * 非晶态半导体的能带 非晶态半导体与相应的晶态半导体具有类似的基本能带结构：导带、价带和带隙。这是因为无论是非晶态还是晶态，它们的基本结合方式没有改变。